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        英特爾Haswell提升電池壽命和繪圖效能

        —— 首款采用其22nm三閘極(tri-gate)電晶體制程的嶄新架構
        作者: 時間:2012-09-17 來源:SEMI 收藏

           在2012 IDF上,(Intel)介紹了首款采用其22nm三閘極(tri-gate)電晶體制程的嶄新架構──新一代處理器l,強調可強化電池使用壽命和繪圖效能。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/136833.htm

          架構部門總經理Dadi Perlmutter表示,雙核心和四核心的客戶端版本l 將在今年四月隨PC出貨。他指出,該晶片的早期版本在一款原型系統上執行時,功耗便已低于8W,遠低于現有Sandy Bridge 處理器的17W。

          Linley Group公司資深分析師兼《微處理器報告》編輯Kevin Krewell表示,新處理器對許多消費者帶來的最直接影響,將會是更長的電池壽命和更好的繪圖性能,。然而,除非你去最佳化和編譯該晶片的強化AVX2程式碼,否則你無法得到這款處理器的大多??數真正優勢。

          該架構適用的領域將比英特爾之前任何一款處理器都更寬廣,從無風扇平板到高階伺服器都包含在內。一種稱之為S0ix的全新超低主動功耗狀態進一步推升了l 的電源管理能力,并讓閑置功耗可再降低20倍。

          “當Haswell 平臺在處理少量任務時,它幾乎都是處在這個新的狀態之下”英特爾院士Per Hammarlund說。

          Haswell 在高低功耗之間的轉換速度也比現有x86晶片快得多。另外,它還為Serial ATA, PCI Express和USB埠采用了新的低功耗模式。

          Haswell 執行功率小于8W,而Intel目前的處理器超過17W。

          在繪圖部份,Haswell提供了全新的GT3版本,它復制了現有Ivy Bridge繪圖晶粒部份的關鍵部份。這讓它具備比現行英特爾CPU高出兩的繪圖效能。

          新的AVX2指令包括一個融合的多倍址,如此一來該晶片便可在每周期執行兩次,實現比Sandy Bridge架構高出一倍的浮點性能。其他的新指令還有助于加密或簡化平行任務。

          例如,該晶片支援兩種形式的事務型記憶體(transactional memory),可用于大型資料庫的自動更新,這種能力對伺服器特別有用。

          Haswell的快取記憶體和前一代晶片相同,但英特爾表示,為增加性能,該公司為L1和L2快取增加了一倍頻寬。

          Krewell估計,現有的軟體將可因新的CPU獲得10%的性能增益。但采用新指令集的程式碼將可獲得更大優勢。



        關鍵詞: 英特爾 Haswel

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