SEMI：2013年全球光刻掩膜板市場預計可達33.5億美元規模

　　SEMI最新研究報告顯示，2011年全球半導體光刻掩膜板市場達到了31.2億美元規模，預估2013年這一數字可達33.5億美元。繼2010年達到高峰以后，光刻掩膜板市場2011年再次增長了3%，創下歷史新高。而未來兩年光刻掩膜板市場則預計將有4%和3%的成長。驅動z這一市場成長的關鍵主要來自于先進技術持續進行微縮(小于65納米)，以及亞太地區制造業的蓬勃發展。2010年，臺灣超過日本成為最大的光刻掩膜板市場，并預計將在未來預期內保持最大。

　　掩模制造市場正變得越來越資本密集型;據SEMI數據顯示，2011年是掩膜/光罩制造設備創紀錄的一年，比上一個歷史記錄高點2010年再增長了36%達到11.1億美元。隨著光刻掩膜板行業的資本密集度增強，專有光刻掩膜板(captive photomask)廠商的市場占有率也不斷擴大，與2006年的30%相比擴大到 40%。  

　　針對sub 45納米制程節點，透過顯影光源優化(Source Mask Optimization，SMO)的應用將可擴展單次曝光程序，而雙重曝光(double patterning)技術也被視為重要方案。為了協助將光學光刻技術延伸至22納米節點尺寸，除了雙重曝光和SMO之外，芯片制造商還打算利用運算光刻 (computational lithography)的技術。定向自裝作為延伸光學光刻到10nm節點的一個可能的方法近日獲得了大量的關注。

　　雖然EUV的光源和光阻已有所改善，但目前EUV已被推遲至少到14nm節點，但一些產業觀察人士認為EUV可能在10nm進入量產。然而，有關技術準備的擔憂依然存在，一些芯片制造商在14nm采用并行的光刻技術路線圖。何時或是否EUV會被廣泛采用，還得取決于成本考慮，以及能否為此革命性技術形成新的供應鏈。

　　而對于大批量光刻掩膜板(merchant photomask)供貨商來說，經濟方面的不確定性因素遠比技術問題更讓人頭痛，隨著線寬必須不斷縮小的趨勢下，廠商面臨諸多艱巨的挑戰，更多先進的光刻掩膜板工具和材料必須應運而生，但卻僅有部份的客戶會轉移至更小尺寸的產品，而且似乎對于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深，因此批發式光刻掩膜板產業必須在一個正在萎縮的市場上找到它的平衡點，既能進行技術升級發展也能兼顧資本成本。

　　SEMI最近發表了《Photomask Characterization Summary》，對2011年的光刻掩膜板市場提供詳細的分析，并以全球七個主要地區，包括北美、日本、歐洲、臺灣、韓國、中國、以及其它地區進行市場分析，該報告還囊括每一地區從2006至2013年間的相關數據。