英特爾擴展嵌入式產品進入串行閃存市場

中國北京, 2006年6月7日–英特爾（中國）有限公司今天宣布, 將擴展其NOR閃存產品線，以滿足不斷增長的數十億美元嵌入式市場的需要。英特爾公司計劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Serial Peripheral Interface, SPI）產品進入迅速發展的串行閃存領域。

英特爾的上述行動體現了其對NOR嵌入式閃存市場的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應用到各種消費電子產品、工業應用、個人電腦和有線通訊設備。行業分析人士預計，NOR嵌入式閃存市場規模(不包括手持設備) 在2006年將達到20~30億美元，其中，SPI閃存將成為增長最快的領域之一。

英特爾StrataFlash嵌入式存儲器家族新增的3V版本是3V嵌入式應用的理想的解決方案，如機頂盒、基站、網絡設備。同時， 針對用戶多種應用轉換的需求，StrataFlash產品家族也給開發者提供了多種存儲密度和產品封裝的選擇。目前3V版本處于抽樣檢測階段，預計將在今年第四季度投入生產。

英特爾之所以選擇以一款SPI閃存產品作為首次進入串行閃存市場的敲門磚，是因為SPI閃存產品具有性能出眾且安全系數高的特點，這正好滿足了消費類電子及電子計算市場的要求。串行閃存技術通過減少針腳數目和簡化主板設計來節省主板空間，并縮短產品推向市場的時間。英特爾還將提供符合工業標準的封裝引腳以及指令集，方便客戶加快設計周期。這些廣泛應用于DVD、數字電視機、打印機、個人電腦等設備上的串行閃存產品現在正在進行抽樣檢測，預計也將在第四季投入生產。

“業內分析人士預計，NOR嵌入式閃存市場將繼續增長，從 2006到2010將翻一番。”英特爾公司副總裁兼閃存產品事業部總經理Darin Billerbeck表示， “英特爾將不斷完善我們的產品線，在這些領域不斷擴大我們的市場。”