拆解：揭秘Ivy Bridge超頻溫度高原因

　　關于Ivy Bridge在超頻時溫度大大高于Sandy Bridge這一點早已被證實。關于具體原因此前分析大概有兩種說法，一種是Ivy Bridge制程升級導致核心面積變小后和頂蓋接觸面積變小，能量/面積的密度提高;另外一種說法直接把矛頭指向Intel 22nm FinFET/tri-gate技術。Overclockers網站分析認為，后一種說法缺乏有說服力的依據，前一種說法看似合理，但不至于導致超頻時Ivy Bridge溫度比Sandy Bridge高出20度之多。那么具體原因究竟為何?自己動手才有真相，根據拆解結果Overclockers分析出了相對合理的原因。

　　從上圖得知，Intel在核心與頂蓋之間使用了傳統(tǒng)的硅脂，而不是Sandy Bridge上的無釬焊工藝。查閱工程資料可得，使用無釬焊時的導熱率大約是普通硅脂的15-16倍以上。而Intel在Ivy Bridge上的這一改變使得頂蓋直接成為了熱量集中地并且無法發(fā)揮原本散熱的功效，甚至不如CPU核心直接通過硅脂接觸散熱器：前者為CPU核心—硅脂—頂蓋—硅脂—散熱器，后者為CPU核心—硅脂—散熱器，除硅脂外均為金屬導熱速率很快，頂蓋上下均覆蓋硅脂反而使其成為了累贅。這也解釋了為何Ivy Bridge在液氮等極限超頻情況下并不弱的現象。

　　那么Intel為何又改為在核心使用硅脂，采用的又是那種硅脂呢?Overclockers就此詢問了Intel，發(fā)言人回復很有禮貌又簡潔還不出所料——“秘密配方”。雖然Intel不肯透露硅脂成為，不過從顏色上看起來它和一般散熱器中搭配的普通產品并無差別，顏色也不如很多含銀產品深。

　　實際上Intel已經不是第一次這樣改動，Overclockers稱E6XXX和E4XXX系列處理器也同樣如此，前者采用的是無釬焊工藝連接核心與頂蓋，后者同樣為硅脂。總之很難解釋為何Intel做出這種決定，普通產品倒無所謂，帶K的超頻專用型號起碼不應該出現這種問題吧?