我國存儲器行業面臨的形勢與機遇

　　1、發展形勢

　　傳統結構DRAM、Flash需要設計和制造技術緊密配合，已形成少數大型IDM公司壟斷的局面，在主流分立產品上我國正面切入的難度相當大。

　　目前，國內外客戶對高速SRAM的需求量越來越大，其主要應用包括USB3.0、甚高速數字用戶環路(VDSL)、 機頂盒(STB)和基帶(Baseband)等。但高速SRAM IP和低功耗SRAM IP絕大部分由歐美公司提供，許可費用昂貴。

　　2、主要挑戰

　　目前，我國企業在產品推廣中遇到的挑戰主要在市場端。由于國內缺少制造和封裝測試環節，晶圓以及封裝測試都需要外包，因此造成產量小，成本居高不下。雖然在高端市場(服務器、工業級應用)贏得一定的客戶，但市場容量小，不易形成規模;在中低端市場(平板電腦,機頂盒)有大量客戶，對成本很敏感，雖然形成了相對的量，但面臨國際大廠激烈競爭，推廣難，毛利低。我國企業作為市場中的后進入者，還未打開知名度，需要拿高品質的產品到價格敏感的消費市場打拼;對一些高端客戶，作為新公司、新品牌，必然受到很多挑戰。如何不斷降低產品成本以提升產品的綜合競爭力是遇到的主要困難。

　　如今半導體市場的推動力已經由PC轉向消費電子產品。PC過去基本是企業采購、單位采購。因此從企業角度說，對計算機只要滿足使用要求，它并不會對計算機提出不斷升級內存要求。而對于消費電子產品，手機、MP3/MP4、平板電腦、電視機、音響、都屬于個人或家庭消費，對產品的要求越來越嚴格、價格也是越來越低。如果芯片價格不降低，質量要求不嚴格，就很難賣出去，這實際上也是工業的推動力發生了轉變。

　　3、發展機遇

　　(1)對于低次代應用，發揮我們貼近市場和服務支持的優勢，芯片設計加制造的模式是有一定機會的，但需強化存儲器芯片制造技術;

　　(2)SRAM與“宿主”關系密切，結合高端芯片的研發，從設計技術的角度開發并優化嵌入式SRAM IP是一個不錯的切入點;

　　(3)新型存儲器在未來5-10年當中可能成長為與Flash并駕齊驅的主流技術之一，甚至有可能成為“Universal Memory”，我們應該抓住這個難得的技術路線轉移的機會，部署新型存儲器的研發。

　　(4)SRAM由于讀寫速度的提升和存儲空間的增大，其功耗在芯片功耗中所占的比重越來越高。在SoC芯片中，位于數據通路關鍵路徑上的SRAM訪問速度直接制約芯片系統速度，其密度也直接影響芯片的面積和成本，而這依賴于先進的設計技術和精致的物理實現技術。SRAM成了制約SoC速度(頻率)和功耗、面積的嚴重瓶頸。因此，定制關鍵路徑上的高速低功耗高密度SRAM非常有利于SoC芯片性能的整體提高，功耗的降低和成本的減少。

　　國際上高端CPU及SoC芯片公司(如IBM、Intel、AMD、SUN)都有自己的SRAM設計團隊和設計能力。市場上銷售的SRAM編譯器(如Foundry提供的)只能滿足中低端需要，速度慢于高端SoC芯片和CPU公司的SRAM 50%，面積大且成本高。因此，采用自主的專利技術和可配置的高速低功耗高密度SRAM及編譯器，設計高性能SRAM高速總線接口和高速緩存接口，提高SoC芯片性能，降低功耗和面積成本，對提高國產中高端SoC芯片的競爭力十分必要。