存儲器各領域產業狀況

　　1、 NAND flash

　　市場最大，接下來幾年增長速度會最快，但是在中國目前沒有投入設計和制造;做存儲卡的小公司很多，但均是直接購買國外存儲芯片來組裝為成品。

　　2、DRAM

　　市場份額很大，與CPU 并列為計算機兩大核心芯片。

　　在DRAM芯片設計開發方面，原奇夢達在西安建有中國研發中心，可從事DRAM完整的設計測試開發，金融危機后，被山東華芯半導體收購并更名為西安華芯半導體，繼續從事存儲器的開發。另外，美光在上海建有中國研發中心(獨資)，從事DRAM和NOR flash的設計。

　　在DRAM芯片制造方面， 90年代末通過909工程引進NEC工藝技術，接近世界水平生產DRAM，后來不再生產。2000年后，中芯國際引進日本爾必達和德國奇夢達的DRAM工藝進行代工，技術到80nm接近世界水平，同時建有自己的低端DRAM的封裝測試廠。受到金融危機的影響后，中芯國際放棄DRAM生產。另一方面，韓國海力士2005年落戶無錫，經過六年發展，從早期的90nm發展到80nm、66nm及現在的44nm工藝技術。產能據說已經發展到每月18萬片，占到海力士全球產能的近一半，技術也可能發展到38nm,從技術和規模上均為世界水平。但是該廠為海力士獨資，不對外合作。

　　在DRAM芯片封裝測試方面，美光在西安2006年開始建立有先進的大規模后端廠，目前僅做測試和模組制造。原奇夢達在蘇州工業園區建有大規模的后端廠，后被蘇州政府接管，更名為智瑞達，仍然從事DRAM為主的封裝測試。

　　目前中國的DRAM在各環節上均有涉及，但沒有形成完整的產業鏈，核心的芯片制造環節為韓國獨資,至今沒有自己的DRAM工藝和晶圓制造廠。就目前來看，國內的DRAM產品在整個國際市場上處于非常弱小的地位。

　　3、NOR flash 和 EEPROM

　　市場份額較小，中國目前主要有兩家公司從事基于中芯國際90nm的小容量的NOR flash，分別是北京兆易創新科技有限公司(原北京芯技佳易微電子科技有限公司)和鎮江隆智半導體有限公司，且均為設計公司。華虹有基于自己工藝的EEPROM的產品。以上公司的產品在國內均有銷售，但在整個國際市場所占的份額極小。

　　從制造工藝看，中芯國際除了基于90nm NOR flash, 同時在武漢的新芯擁有飛索(Spansion)的65nm MirroBit(電荷捕獲)工藝技術，目前僅能給飛索提供代工服務，兩家公司已經達成協議，開始擴展到45nm 技術。每月產能大月3000片-5000片12寸晶圓。

　　4、SRAM

　　市場最小，目前主要應用于通訊類和極少數消費類，如華為、中興等。在中國有很少幾個基于老工藝做特殊SRAM芯片設計開發的研究所，但沒有商業銷售。國內對SRAM的需求均是直接購買國外芯片。

　　5、新型存儲器

　　市場尚未開啟，國內各大高校及研究機構均處于研究階段。值得關注的是，北京時代全芯公司已經設計完成第一批基于相變存儲器的產品芯片，成為中國第一家取得高密度相變存儲器芯片的公司。 目前，公司已經成功設計了兩顆完整的產品芯片(256Mb的LPDDR2和32Mb的SPI 芯片)，并設計了一個16Mb的嵌入式相變存儲器的宏模塊。