如何選擇恰當的超低靜態電流LDO穩壓器

 　　3) 自適應偏置LDO穩壓器
　　為了同時提供極佳的動態參數及超低IQ，最新代的安森美半導體LDO應用了稱作“自適應接地電流”的技術。這些穩壓器使用特殊技巧來在某種輸出電流電平提升接地電流，而不會損及輕載能效。正因為此，終端應用可以提供良好的負載/線路瞬態、PSRR及輸出噪聲性能的優勢。帶自適應偏置技術的IC有如NCP4587/NCP4589及NCP702，IQ分別為1.5 μA和9 μA。NCP702還在噪聲方面進行了額外優化，100 Hz至100 kHz噪聲帶寬時的典型噪聲僅為11.5 μVRMS。它非常適合于為要求長電池使用時間及小方案尺寸環境中的敏感模擬及射頻電路供電。　　

　　三類超低IQ LDO動態性能比較

　　圖4顯示了上述三類超低IQ LDO的接地電流與輸出電流對比圖。比較中使用的所有LDO都具有在1 μA至1.5 μA之間的極相近靜態電流規格。它們的接地電流與輸出電流的相關關系大為不同。因此，這些穩壓器的動態性能也差異極大。NCP4587作為自適應偏置LDO，其負載瞬態性能優勢很明顯。三款器件的瞬態幅度比較如圖5所示。　　

　　

　　

 　　AE引腳功能

　　另一值得提及可以用于改善超低IQ LDO動態參數的特性通常稱作Auto-ECO(AE)功能(見圖6)。將額外的AE引腳設為邏輯低電平時，用戶可以將LDO穩壓器配置為自適應接地電流超低IQ LDO。將AE引腳拉至高電平時，低輸出電流時的接地電流消耗上升至約40 μA，實質提升從極輕載到高負載條件下的負載瞬態響應。在負載電流較大時，兩種工作模式下IGND大致相等，動態性能基本沒有差別。圖7顯示了AE引腳狀態影響LDO穩壓器的接地電流消耗。