三星與美光結盟推動新一代內存規格

　　三星電子(Samsung Electronics)與美光(Micron)近日宣布成立「混合內存立方體」(Hybrid Memory Cube，HMC)協會，以用來開發與部署此一新一代HMC內存技術的開放接口規格。

　　根據雙方的聲明，成立該協會的關鍵因素，也是目前產業所面臨的主要挑戰之一，即為高效能計算機與新一代的網絡設備對內存帶寬的需求已超出傳統內存架構的能力，此一現象稱為「內存墻」(memory wall)，因此需要有一可強化密度與帶寬、同時能降低電力損耗的新架構來突破此一困境。

　　所謂的混合內存立方體是以堆棧內存芯片組態構成微型化的立方體，一個HMC的效能為DDR3模塊的15倍，每位所使用的電力只有DDR3的30%，由于HMC的密度增加，且外型變小，所使用的空間只有現今Registered DIMM內存模塊的10%，使得每臺機器將可容納更多的內存。

　　該協會指出，HMC的能力超越傳統的DRAM，并建立一個可跟上CPU與GPU進展的新內存標準，應用范圍涵蓋高效能運算至消費者技術。

　　美光DRAM營銷副總裁Robert Feurle表示，HMC把內存能力提升到一個新境界，所帶來的效能與效率將重新定義內存的未來，該協會將盡其所能加速該技術的采用，以徹底改善運算系統。

　　主導HMC開發的除了三星與美光外，英特爾也曾于今年9月公布與美光合作的HMC概念性技術。HMC的最終規格將由該協會的成員共同擬定，目前已加入該協會的組織包括Altera、OpenSilicon及Xilinx等。HMC協會并建議業者從現有的DDR內存架構直接轉移至HMC。