高集成度芯片需求激增 多核成趨勢

　　據Marvell高層透露，其新一代TD雙載波TD-HSPA+芯片已經研發出爐，采用了最新40納米技術，并和多廠商做了一些設備上的兼容性測試。明年出樣片的TD-SCDMA雙核和單核芯片的主頻都將在1GHz以上。

　　LTE提出多樣化應用支撐需求

　　隨著單芯片的不斷涌現、多模多頻終端的需求加大、越來越多的芯片公司進入LTE市場，終端產業鏈將更多的精力瞄向了為無線寬帶殺手級“體驗”做支撐的新方案和新技術。在LTE的刺激下，下一代網絡對芯片的集成能力、多樣化應用支撐能力的需求也在不斷提高。

　　包括高通在內的實力芯片廠商正在快馬加鞭開發整合2G、3G、LTE(TDD/FDD)標準的多模多頻芯片。在LTE產品線上，芯片的高集成度、多模、跨操作系統以及高處理能力和多媒體性能得到更多重視。

　　ST-Ericsson繼去年推出了TD-LTE芯片組，并和Sagem Wireless合作開發了多模 LTE/HSPA+ 參考設計、設備和模塊后，今年也推出了支持LTE雙制式FDD、TDD以及 HSPA+、TD-SCDMA、EDGE的多模芯片平臺。而近期其芯片產品應用于諾基亞推出搭載微軟Windows Phone操作系統的新款智能手機，又一舉打破了Windows Phone手機一直使用高通芯片的局面。

　　在TD-LTE規模試驗中，芯片的成熟能力得到最多關注，目前已有十多家芯片公司加入，除了已經通過互操作測試、進入新一階段試驗的海思半導體與創毅視訊，聯芯科技、高通、展訊、ST-Ericsson、Marvell、Sequace、聯發科技等表現積極。

　　ST Ericsson(意法·愛立信)中國區總裁張代君稱，目前業界已經有支持LTE的智能手機、平板電腦以及支持數據業務的設備(比如內嵌式模塊)，未來還將看到LTE技術被用在M2M領域等其他連接性設備當中。LTE將會取代固網寬帶連接并被用在連接消費型電子產品中，比如照相機以及游戲設備等，而移動平臺則是實現這一切的核心。