XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存

         X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業界最少的光罩版數，32層，其中包含數字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額外2層光罩。對高階片上混合信號系統芯片(SoCs)，此方案具有極高的性價比，其中的45V高壓元件與嵌入式內存，EEPROM、非揮發性隨機內存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash)，更適用于高速微處理器、數字電源、和車用電子。

        X-FAB將于2011年7月13日舉辦一場免費的網絡研討會來討論此項 ”簡單且可靠的非揮發性內存(NVM) – 0.18um的嵌入式閃存(eFlash)與嵌入式非揮發性內存(eNVM)”

        兩種不同的內存模塊 – 8K x 32-bit 和 16K x 32bit –新的XH018嵌入式閃存(eFlash)方案
易于整合、快速存取，并且比非嵌入式內存更耐用。此方案包含糾錯碼(ECC)的功能，允許程序在執行的同時修正錯誤。在1.8V或3.3V工作電壓下，提供50nS快速讀取，并且不受溫度、工作電壓和工藝漂移的影響，而且支援低功耗(200uA/MHz) 、高溫讀取(攝氏175度)的特性。

        XFAB 總裁Rudi De Winter表示：“客戶告訴我們，他們要用嵌入式閃存eFlash技術作為平臺來研發整個系列的產品。有了我們XH018嵌入式閃存(eFlash)方案，客戶可以非常容易地修改軟件來根據應用改變產品的性能與定義。因此，客戶只要有一個高可靠性與高整合性的電路架構，就

        可以開發整個系列的產品。對于講求性價比與復雜性的片上系統芯片(SoCs)，XH018嵌入式閃存(eFlash)方案提供一項完美且包含高壓制程的組合。”

        XH018嵌入式閃存(eFlash)方案也結合X-FAB已有的嵌入式非揮發性內存(NVM)，包含一次性可編程(OTP)與非揮發性隨機內存(NVRAM)。XFAB更提供編譯工具幫助工程師依據自身的需要來定義內存的使用。

        XH018嵌入式非揮發性內存(NVM)的設計套件與IP已開放授權并可在X-FAB技術中心(X-TIC)下載使用，其中EEPROM將于2011年第四季度開放授權。而整套的電路模塊正在進行綜合地測試以通過最后的合格驗證。X-FAB計劃于2012年年初提供另外不同尺寸的內存及高溫的特性數據。