韓存儲器芯片微細制程比重占優勢

　　據韓國媒體報道，韓國半導體業者在衡量存儲器芯片業者競爭力高低的微細制程比重大占優勢，維持在全球DRAM市場的主導權，尤其40納米等級微細制程擴大，使韓國企業市占率隨之擴大，在2011年第1季寫下不錯成績，其它DRAM業者因轉換制程時機較晚，第1季營收多不理想。

　　據報道，三星電子(SAMSung ElectrONics)和海力士(Hynix)等韓國DRAM半導體業者40納米等級制程比重超過50%以上。而美國美光(Micron)、日本爾必達(Elpida)、臺廠南亞等競爭業者40納米等級制程比重未滿20~40%，華亞和力晶等比重則停留在約10%。

　　最早轉換微細制程的三星將50納米等級制程減少21%，并將40納米制程大幅提升至75%。且三星也是DRAM業界中唯一將制程擴大到30納米等級的業者，比重占4%。

　　海力士則緊跟在三星之后。海力士的60納米制程比重占1%、50納米制程比重占34%、40納米制程占65%等，其中以40納米制程占比重最高。

　　美光、爾必達、南亞等競爭業者仍以50納米制程比重較高，美光50納米制程比重占72%，南亞則接近70%。爾必達40納米制程比重占41%，雖然整體來說40納米制程占比最高，但60納米和50納米制程合計占比達60%，比重過半，與韓國業者相比仍有很大差異。

　　韓國業者逐漸將生產主力轉換到40納米制程，制程轉換已大部分整理完成，美光則還有1%采70納米制程，7%為60納米制程，爾必達也還有25%使用60奈米制程。

　　韓國相關業者表示，爾必達宣布2011年7月將會投入20納米制程量產，但目前轉換到40納米制程的比重仍偏低，甚至無法進入30納米制程，較難立即轉換到20納米制程。韓國業者也認為，60納米制程比重至今仍達4分之1，可能是轉換新制程上遭遇瓶頸的間接性證據。

　　除此之外，臺廠華亞科和力晶40納米制程比重各為13%和11%，在轉換微細制程方面速度仍偏緩。