韓國早于英特爾申請3D晶體管技術專利

　　據韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣布領先全球開發出的3D晶體管制程技術，韓國研究團隊早已開發完成。韓國向美國提出技術專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術，韓國將可獲得龐大的專利權使用收入。

　　首爾大學電機工程學系教授李鍾浩(譯名)表示，在韓國及美國持有與英特爾發表的3D晶體管制程技術tri-gate MOSFET相同的bulk FinFET相關技術專利。他表示，2項技術只有名稱不同，但應用的方式是相同的。

　　李鍾浩表示，從英特爾目前為止公開的資料來看，與韓國持有的專利技術完全相同，相關技術韓國已取得韓國境內及美國的專利權，并發表60多篇論文，在技術方面是已得到驗證的事實。

　　bulk FinFET技術2002年1月30日已在韓國申請專利，且于2003年8月成功登錄專利，接著2003年2月4日向美國申請專利，并于2年后的2005年4月26日完成登錄，而英特爾則在晚李鍾浩10天的2003年2月14日，才提出tri-gate MOSFET專利申請。

　　英特爾發表的3D墊晶體制程技術可增加晶體管通道數量，增加電流量，電流流失與目前的2D晶體管相比顯著減少，大幅提升其效率。此外，此3D晶體管技術也適合用在微細制程，提升芯片集積度。

　　英特爾計劃將該計數應用在22納米量產制程中，進入行動裝置芯片市場。行動芯片需求持續增加，李鍾浩的專利技術若審核后確定為同樣的技術，將可獲得數量龐大的專利金。

　　bulk FinFET技術的美國專利及發明者皆登錄為李鍾浩，專利權則由專利營銷專門公司PNIB所持有，此外，該技術相關的多數應用技術也由李鍾浩及其所屬的首爾大學共同持有。李鍾浩當時提出相關技術專利申請后，曾邀請韓國企業進行共同開發，然當時因技術不具商業性為由遭拒。

　　李鍾浩表示，先申請專利者可獲得專利權法保護，而經過確認后，確實比英特爾更早提出專利申請，應沒有其它問題。為取得美國專利權保護，將會以英特爾為對象，與PNIB共同進入相關法律程序。