三星重啟電力芯片事業

　　據韓國電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics) 1990年代受到專利訴訟、國際貨幣基金組織(IMF)危機等，1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業，歷經12年，三星又再度著手進行該事業。

　　從數年前開始，以三星電子綜合技術院為中心，已展開電力芯片相關研究，三星更將在2011年內架構專門研究中心，著手開發具體商用化技術。三星每年呈現爆發性成長，重新進入電力芯片市場，除多元化以存儲器為主的半導體事業外，另一方面則是計劃培育并發展集團新子事業。

　　據三星表示，三星綜合技術院將于2011年內設立電力裝置中心(Power Device Center)，已進行電力芯片相關新技術研究及開發商用化技術。近來三星綜合技術院內部已成立特別小組籌建研究中心，而該特別小組也將會探討未來在技術開發方向、市場性、確保人力方案，以及與三星集團企業進行連結等相關方案。

　　三星相關人員表示，電力裝置中心將集中研究絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，并行研究氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)等新素材。氮化鎵和碳化硅等為海外電力芯片業者爭相確保技術且競爭激烈的領域，若三星能率先開發出相關技術，將能迅速在該領域確保其競爭力。

　　氮化鎵可取代矽，大幅縮減耗電量，原料價格近來已下跌，商用化的可能性變高。三星綜合技術院也投入電力芯片業界龍頭英飛凌(Infineon)的研究企畫，并與三星康寧精密材料(Samsung Corning Precision Materials)共同開發氮化鎵原創技術。此外，更以開發采用氮化鎵的電力裝置為研究目的，向美國半導體設備業者Veeco購買有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD)機臺。

　　三星除氮化鎵外，也正在開發使用碳化硅且可取代矽基板的技術，期望能應用在高電壓、大容量次世代電力芯片開發上。

　　三星1999年將電力芯片事業拋售給美商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)，12年后又計劃再度展開電力芯片事業，是期望繼存儲器、系統芯片外，在培育新的集團子事業。尤其太陽能、風力、智能電網 (Smart Grid)、電動車等新的綠能產業迅速成長，電力芯片的需求估計也將會有成長，而外電指出，未來電力芯片產能將會有相當大的比重運用在三星集團的能源、汽車、家電領域。

　　根據日本矢野經濟研究所(YRI)統計，全球電力芯片市場在2010年約為141億美元、2011年將達到152億美元規模等，至2015年前將可望維持年平均11.5%高成長率。即使電力芯片市場快速成長，由于確保新技術較困難，因此市場競爭相對于存儲器業界較不激烈。