半導體投資兩極化

　　韓國媒體披露，韓國半導體業者2010年營收成績亮眼，2011年也將積極進行投資計劃。相對的，日本及臺灣企業投資額則較2010年減少60~70%，投資轉為保守。在半導體事業上，投資規模與微細制程的進展及價格競爭力等息息相關，韓國業者認為2011年韓國與臺、日廠的存儲器競爭力差距將會更大。

　　三星電子(Samsung Electronics) 2011年計劃投資10.3兆韓元(約91.57億美元)發展半導體事業，與2010年的11兆韓元規模相當。該公司2011年總投資額當中，對DRAM 等存儲器的投資金額為5.8兆韓元(約51.56億美元)，較2010年的9兆韓元減少約35%，然2010年三星有建設新產線等特別投資項目，因而三星 2011年的投資規模仍不可小覷。2009年三星的存儲器投資金額約4兆韓元。三星相關人員表示，2011年雖提高了系統芯片投資比重，但存儲器方面也將會持續進行大規模的投資。

　　海力士半導體(Hynix) 2010年在存儲器事業方投資了3.8兆韓元(約33.78億美元)，2011年投資規模也相當，約3.4兆韓元(約30.23億美元)，且大部分資金將使用在轉換微細制程方面。

　　日本、臺灣業者2011年投資規?？s減幅度較韓國大許多。此外，不只投資規模縮小，在絕對金額方面，韓國企業也超越其它競爭業者。全球排名第3的日本 DRAM業者爾必達(Elpida)近來表示2011年將投資400億日圓(約4.82億美元)，較2010年投資額1,150億日圓(約13.86億美元)縮減約65%。

　　臺灣業者的情況也很相似。臺灣華亞科技投資額從2010年新臺幣550億元，2011年縮減了69%至170億元。南亞也從新臺幣230億元投資額減半至120億元。

　　外電指出，韓國企業與臺、日業者間的投資差距，在2011年下半營收出現差距后，現金財力等差異將更大。2010年第4季三星半導體事業部及海力士營業利益各為1.8兆韓元(約16億美元)及4,180億韓元(約3.72億美元)。日廠爾必達則出現269億日圓(約3.25億美元)虧損，臺廠南亞也出現新臺幣87.39億元的赤字。

　　2011年投資的差異將會使韓國、臺灣及日本業者間的競爭力差距更明顯，存儲器芯片投資大部分皆已進入轉換微細制程，因此價格競爭力也將更大。