三星開發出新一代高速內存芯片

　　三星電子星期二稱，它已經開發出了一種新的計算機內存模塊，讀寫數據的速度是上一代內存芯片的一倍。

　　三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級的技術生產這種新的DDR4 DRAM內存模塊。

　　目前DRAM內存行業的主流產品是DDR3內存模塊，其性能比DDR2產品有所提高。三星電子稱，它是DRAM內存行業第一個開發出DDR4內存芯片的廠商。

　　三星電子補充說，這種新的內存芯片還將把電源消耗減少一半。與DDR3內存芯片相比，DDR4內存芯片的耗電量是1.2伏，數據傳輸速度為每秒2.133GB。而DDR內存芯片的耗電量是1.35伏或者1.5伏，數據傳輸速度為每秒1.6GB。