華潤上華發布新開發的BCD工藝平臺

　　2010年11月15日華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)近日發布其新近開發完成的BCD工藝平臺，同時由其持有19%股權的8英寸生產線也推出多款新型BCD和0.13微米工藝平臺，以滿足客戶在新興半導體應用市場的需求。

　　華潤上華致力于功率模擬IC代工，尤其在BCD代工方面擁有核心優勢。基于原有的BCD工藝，華潤上華開發了1.0微米700V、0.25微米和0.18微米三款新型BCD工藝平臺，分別面向綠色節能產品的高電壓、高效能及高集成度應用。

　　1.0微米700V BCD工藝平臺是基于華潤上華在AC-DC轉換器上廣泛應用的1.0微米40V BCD工藝平臺上嵌入700V DMOS后研發而成的。它不但保持了原有工藝簡單經濟的優點，同時拓展了應用范圍，是綠色電源芯片最佳選擇之一，其主要應用于離線電源、LED照明驅動等AC-DC轉換電路。

　　與原有的0.5微米BCD工藝平臺相比，由8英寸生產線新開發的0.25微米BCD工藝平臺具有更高的性價比，其功率DMOS性能提升了30%，工藝流程更簡化，使用成本更低。該工藝平臺主要面向DC-DC轉換器、AC-DC轉換器、LED驅動、音頻功放及電池保護等電源管理應用。華潤上華同時提供更多的工藝選項，能讓客戶彈性選擇所需的器件來優化芯片設計。

　　隨著數字電源的普及，8英寸生產線還推出0.18微米BCD工藝平臺。該工藝平臺將功率DMOS嵌入0.18微米數字平臺中，保持了0.18微米數字工藝及0.25微米BCD工藝原有性能，提供完整的數字標準單元庫、OTP等設計支持。

　　基于原有的0.18微米工藝平臺，8英寸生產線再推出其新近研發的0.13微米工藝平臺，包括0.13微米邏輯、模擬和射頻工藝平臺。與0.18微米技術相比，0.13微米的技術可以將芯片尺寸最多縮小約50%的面積，性能提升逾50%。華潤上華的0.13微米工藝平臺具有很強的兼容性。

　　0.13微米邏輯工藝平臺目前提供標準和低功耗2種工藝：標準工藝適用于性能導向的客戶;低功耗工藝適用于手持消費性市場。此兩種工藝Core器件的工作電壓分別為1.2V和1.5V，IO器件目前均為3.3V，2.5V的IO器件正在開發中。0.13微米低壓高性能邏輯工藝平臺以及基于0.13微米邏輯工藝平臺的嵌入記憶體工藝和高壓工藝開發項目正在進行中。

　　0.13微米模擬和射頻工藝平臺技術將使基于邏輯平臺的集成更為容易，主要提供的器件有：多種閾值電壓的Core器件、3.3V IO 器件、隔離P阱、多晶高阻、可變電容器、VPNP、MIM電容和頂層厚鋁的電感器。

　　8英寸生產線的0.13微米邏輯、模擬和射頻工藝平臺的模擬套件庫(PDK)將于近期完成，預計從2011年開始還將提供上述新工藝平臺的多項目晶圓服務(MPW)，以幫助客戶降低生產成本。

　　“華潤上華致力成為模擬晶圓專工領航者，為新興半導體應用市場提供綠色電源、半導體照明、汽車電子等應用領域的模擬和功率IC工藝解決方案。”華潤上華市場及銷售副總溫珍荻博士表示，“華潤上華將聚焦新興應用市場，為客戶提供高附加值的客制化服務，為客戶創造更多的價值。”