尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用

　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。 

　　這家大型半導體廠商的名字，尼康沒有公布，估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。 

　　作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術，能夠實現很高的分辨率。對于液浸產生的缺陷和重合不穩定性的問題，據稱利用名為“Local-fill（局部液浸）”的自主技術已經得到解決。另外，還利用“Random Stage”技術提高了吞吐量。 

　　該設備原計劃2005年底至2006年初開始供貨，因此看來開發工作基本上是按計劃進行的。所供應的設備正在安裝調試。而荷蘭ASML則計劃2006年第2季度供應NA1.2的曝光設備，可以想象競爭將會非常激烈。