Gate-first HKMG工藝不行了？IBM技術聯盟成員辟謠忙

　　以IBM公司為首的芯片制造技術聯盟，即GlobalFoundries，三星等公司組成的團體最近駁斥了有關該聯盟在開發high-k+金屬柵極(HKMG)工藝時遇到困難的傳言。

　　風波的起因在于近日Barclays的分析師Andrew Lu的一份報告，這份報告指出：“HKMG技術的目的在于減小柵極尺寸變小時的柵漏電量。”文章指出，在如何實現HKMG技術方面，業界分為兩大流派，其一是Intel，臺積電為首的Gate-last派，Gate last工藝將生成金屬柵極的工步放在漏源極高溫退火工步之后。Intel已經在其45nm制程上啟用了這種工藝，目前的32nm則已經開始采用第二代HKMG技術。不過臺積電則還沒有采用HKMG工藝的產品上市。

　　相比之下，以IBM公司為首的芯片制造技術聯盟則固守Gate-first工藝，這種工藝堅持采用常規方法，即柵極生成工步放在漏源極高溫退火工步之前。不過目前為止該技術聯盟仍未有HKMG產品大量上市。不過AMD計劃于明年上半年推出采用Gate-first工藝制作的HKMG產品，AMD的處理器目前由GlobalFoundries代工。

　　不過這份報告同時宣稱：“Gate-first陣營最近在開發HKMG工藝過程中似乎遇到了一些問題。由于Gate-first工藝中金屬柵極需經受高溫工步，因此這種工藝對柵極材料的熱穩定性有較高要求，很容易出現管子門限電壓增大的問題。”報告同時還稱：“我們認為臺積電在28nm HKMG工藝節點將取得領先。”

　　有關Gate-first與Gate-last工藝的詳細差別，有興趣的讀者可閱讀這個鏈接。

　　不過，IBM技術聯盟的成員之一GlobalFoundries隨后很快對這份報告進行了反駁。他們表示：“看來有些人似乎還沒有完全搞清楚Gate-first HKMG技術。由于我們是私有企業，因此我們一般不和像Barclay這樣的公司有過多的接觸，所以這類公司一般無法從我們這里得到有關新技術的最新動向。實際上，我們在32nm HKMG工藝上的進展相當順利，有關產品的門限電壓值也沒有如這份報告所說的與Gate-last有很大的差異。我們今年晚些時候會開始在Fab1工廠試產有關的產品。”大有斥責對方“不懂不要亂噴”的意味。

　　三星電子也辟謠稱：“如果大家都還記得的話，我們早在今年6月份便宣布了我們的32nm低功耗HKMG工藝已經通過了全面驗證，驗證的過程包括1000小時的高溫耐久測試，經過測試后我們的產品沒有發現任何問題。”

　　這場風波中的雙方究竟孰對孰錯，看來只有留待實際上市產品的性能來證明了。