傳Intel 25nm閃存固態硬盤延期至明年2月

　　Intel與美光合資公司出品的25nm工藝NAND閃存在今年5月就已經實現了量產。原本我們認為，Intel計劃中在今年四季度推出采用該閃存的第三代固態硬盤產品已經足夠穩健了。但根據歐洲媒體近日得到的消息，Intel近期又修改計劃，將該系列固態硬盤的發布時間推遲到了明年2月。根據之前泄露的路線圖，Intel 計劃在今年四季度推出代號Postville Refresh的第三代X25-M以及X25-V。憑借25nm工藝MLC NAND閃存的優勢，實現容量翻倍，性能提升，更重要的是價格大幅下降。而到了明年一季度，還會再推出推出X18-M新品以及企業級的X25-E。

　　不過根據最新得到的消息，Intel近期對計劃進行了修改。今年第四季度智慧推出一款新品X25-M，并且依然使用34nm閃存和第二代控制器芯片，應對市場對不同容量產品的需求。大規模的第三代產品發布被推遲到了明年二月份。

　　據稱此次延期與產能有關。去年當Intel X25-M G2發布時，由于性能出眾立即引起了廣泛關注，并長期處在供不應求狀態直至2010年。因此雖然25nm工藝芯片已經早早量產，良品率表現也不錯，但 Intel還是準備積蓄一段時間的產能，在新產品正式發布時既能憑借性能吸引眼球，也能提供穩定充足的貨源滿足消費者需求。

　　事實上，近期已經有廠商開始展示采用Intel/美光25nm工藝閃存的固態硬盤產品。但由于他們的貨源肯定是來自這兩家廠商，在Intel和美光的25nm閃存固態硬盤正式發布前，下游廠商應當不會被允許推出此類產品。