分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

　　據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。

　　南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。

　　觀察臺系DRAM產業的發展史，以華邦成立于1987年最早，孕育臺系DRAM人才無數，臺灣DRAM產業于1994年后快速發展，力晶、茂德與南科相繼成立，與日系廠商展開技術合作，華亞科與瑞晶于2003年與2007年以臺灣、德國及臺灣、日本合資設廠，使臺灣DRAM產能于2008年底月投片量達53萬片，占全球DRAM投片量35%，成為全球12寸DRAM廠密度最高的國家，但在2007年至2009年嚴重的供需失衡下，臺系DRAM廠也承受極大的財務虧損壓力。

　　集邦統計，韓系廠商在今年第二季營收排名的市占率已達55.3%，比2008年第四季金融風暴時期的45.5%，成長近10%，而臺系DRAM廠也在今年DRAM景氣回升中，力求加強產業競爭力，各公司策略布局分析如下：

　　在臺系DRAM廠中，華邦正積極退出標準型DRAM生產， 加強NOR Flash、Mobile DRAM、GDDR(繪圖用內存)及SDRAM(利基型內存)等四項產品線，在NOR FLASH市場短缺下，華邦成功調整產品線，確保生產獲利率穩定并持續提升，同時華邦決定以奇夢達所開發的46nm為基礎，自主研發46nm，于2011年底量產。

　　在爾必達聯臺抗韓策略下，力晶、瑞晶與茂德與爾必達合作在未來更為密切，除加速制程轉進，為降低單項產品價格波動風險，力晶的產品線策略，采取標準型DRAM、代工與Flash三者并進的經營模式，并于今年底導入DRAM 45nm制程， 加上瑞晶產能貢獻三成，產出及營收可望持續成長。代工也繼續以每月三萬片至四萬片的投片與客戶合作并計劃明年將65nm制程導入代工生產，Flash方面明年則將有50nm制程1Gb SLC及40nm制程的MLC 16Gb產出。

　　瑞晶成為爾必達的子公司后，在母公司的策略規劃下將成為爾必達的生產標準型DRAM的重鎮，預計今年底可有六臺浸潤式機臺移入，并計劃于明年首季底全數轉入45nm制程。

　　茂德方面，目前中科廠已經恢復至滿載6萬片，今年底，投片3萬片是幫爾必達代工63nm制程，加上未來爾必達考慮將低容量的Mobile DRAM委外交給茂德，以后茂德將有一半以上的產能以代工性質為主。