- 6月1日下午，中國臺灣地區南部科學園區發生壓降情況。對于壓降事件的發生，南科管理局指出，臺電豐華D/S變電所下午2時59分因161kV GIS隔離開關故障，發生電力壓降，造成臺南園區及高雄園區部分廠商電壓驟降。資料顯示，臺積電和聯電分別為全球排名第一和第三的晶圓代工廠商，均在臺南擁有多座晶圓廠。而此次事件也引發了業界對企業運營狀況及全球半導體產能的高度關注。對此，臺積電和聯電均在當天作出了回應。臺積電不對營運造成影響臺積電表示，受影響的廠區電力供應均迅速恢復正常，不預期對營運造成影響，詳細壓降原因依臺電公
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南科 壓降 聯電 臺積電
- DRAM價格慘跌，也拖累DRAM廠營運表現疲弱，為拯救低迷的營運，各廠也紛紛減少標準型DRAM產能，轉向其他利基型產品，希望能擺脫價格波動造成的影響，對此，市場研究機構Gartner(顧能)半導體產業首席分析師王哲宏認為，大廠轉進利基型產品，短時間來說還可以，不過若是長期恐又重演標準型DRAM一窩蜂擴產的狀況，同時，后進廠商在轉型上除了失去先機外，在獲利上也比較微薄。
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南科 DRAM
- DRAM價格慘跌，也拖累DRAM廠營運表現疲弱，為拯救低迷的營運，各廠也紛紛減少標準型DRAM產能，轉向其他利基型產品，希望能擺脫價格波動造成的影響，對此，市場研究機構Gartner(顧能)半導體產業首席分析師王哲宏認為，大廠轉進利基型產品，短時間來說還可以，不過若是長期恐又重演標準型 DRAM一窩蜂擴產的狀況，同時，后進廠商在轉型上除了失去先機外，在獲利上也比較微薄。
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南科 DRAM
- 據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
- 據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
- 根據集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。
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南科 DRAM Flash
- 臺塑集團旗下的DRAM廠商南科副總經理白培霖透露，預計第三季度試產手機內存芯片、第四季度可量產，將成為帶動明年運營增長。
白培霖表示，手機內存芯片的市場變化較小，價格穩健，南科決定加入手機內存芯片生產行列。
他透露，預計今年第三季度開始試產低耗電的手機內存芯片，第四季度量產，目前已有多家手機客戶參與設計驗證。產品涵蓋256MB、 512MB、1GB到2GB,未來也可延伸應用到數字電視等消費電子產品上面。
據悉，南科12寸廠最大月產能5萬片除了生產標準型DRAM之外，會有部分產能生產手
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南科 DRAM 手機內存
- 受地震影響，臺南科學園區兩大面板廠奇美電子、瀚宇彩晶傳出前段制程玻璃破片，以及石英管破裂問題，恐影響復工進度，但兩家公司皆表示，地震影響不大。
面板工程師表示，石英管破裂若有備份更換即可，并不影響生產線運作，但設備中的玻璃碎片清理耗時，至少要1至2天時間，恐會是影響此次震后面板生產線復工最大因素。不過，奇美電并未對此傳聞加以說明。
奇美電表示，此次震災只在地震當時暫時停工，生產線已恢復運作，并不影響正常營運。
彩晶指出，機器設備一臺一臺檢測需3至5天時間，才可完全恢復運作，但問及工廠
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南科 面板
- 據臺灣媒體報道，11月上旬動態隨機存取內存(DRAM)合約價出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價皆大漲超過15%，DDR2 2Gb合約均價漲幅也達13.9%，預估11月下旬DDR2合約價可望持續攀高，以合約市場為主的南科、華亞科預估受惠較大。
集邦科技昨最新報價，11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價達2.38美元，比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價達2.25美元，大漲15.98%。
另DDR2 2Gb合約均價從36美元上漲到41美元，漲幅達13.9
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南科 DRAM DDR2 DDR3
- 臺灣DRAM大廠南科宣布8億股現金增資計劃，預計籌措100億元以上資金，全數投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現貨價格已站上每顆2美元，時間點來得比預期早，國內DRAM廠暫時度過最艱困的時刻，但三星半導體將在明年把40納米推升為生產線主力，成本大幅降低的優勢，勢必更加顯著，臺廠與國外一線大廠的苦戰還是難免。
由于DDR2過渡至DDR3面臨產能轉換的瓶頸期，導致DDR3產能不足，進一步拉抬DDR2價格，原本內存模塊廠預測，今年第四季底，DDR2現貨價才有機會達到2美元，但根據集邦科技報
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南科 50納米 40納米 DRAM
- 景氣轉好，近期科技業聯貸案陸續通過，合約DRAM大廠南科150億元(新臺幣，下同)聯貸案也可望于9月底通過，加上6月時私募120億元，以及年底可能再辦約100多億元的現增案，南科銀彈滿滿，轉進50奈米制程進度已經無虞。
日前奇美電聯貸案金額不斷往上追加，原應在8月結案，順延到9月上旬，金額也由最初預定的300億元規模，被聯貸銀行團超額認購到422億元，最后以400億元結案。顯見隨景氣轉好，銀行團原本緊縮的態度，也逐漸放松。而南科150億元聯貸案，預計將在9月底登場。據銀行端消息透露，最晚第四季就
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南科 DRAM 68納米
- LED照明因高效節能而被譽為“綠色光源”，目前很多企業都已經涉足這個產業，在廣東，LED照明有得天獨厚的優勢，就是廣東中山、東莞、深圳等地有大量燈具廠商，依托這些廠商，可以盡快地將新興的LED照明技術實用化，在本屆高交會電子展上，廣州南科集成電子有限公司就展示獲得三項專利的LED照明技術，吸引了很多參觀者。
南科集團董事長吳俊緯博士介紹說：“本次展示的LED照明燈具包含已經獲得專利的三大技術，就是全球首創倒裝集成高壓大功率芯片（100V,300
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南科
- 美光有可能買下奇夢達所持有的臺灣DRAM廠華亞科技的股權。對此，華亞科技大股東南科表示，針對華亞科技的股權處置，南科與奇夢達仍在協商中，尚未定案。
外電報道指出，美光決定與臺灣DRAM大廠南科結盟，兩公司計劃在臺合資成立亞美科技，預計2009年底前各自投資現金5.5億美元后，美光有可能進一步買下奇夢達所持有的華亞科技35%股權。
針對美光將買下奇夢達所持華亞科技股權事宜，華亞科總經理高啟全表示，南科與奇夢達等兩大股東正針對華亞科股權處置事宜進行協商，至于結果由誰買下對方股權及資金來源，目前
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DRAM 美光 奇夢達 南科
- 全球最大半導體設備制造服務業者應用材料18日宣布，全球服務事業群正計劃投入晶圓再生市場，將位于臺南科學園區建造1座再生晶圓廠及硅應用研發中心，預計6月揭幕、隨即投入生產。同時相應于應材正全力發展太陽能薄膜設備市場，應材臺灣也設立事業單位，加強與國內太陽能業者合作。 應用材料企業副總裁余定陸表示，應材正積極跨入綠色能源事業，除自2006年起積極投入太陽能光電市場，將陸續推出薄膜太陽能制造設備，也將投入晶圓再生市場，協助晶圓廠在測試晶圓用量上進一步節約。余定陸分析，薄膜太陽能成本取決于轉
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南科 生晶圓廠 消費電子 其他IC 制程 消費電子
南科介紹
中國南科集團是由吳緯國博士所創立。集團主要從事高新技術集成電路生產與大功率LED照明產品的研發與生產。是大陸兩家垂直整合型（研發-單晶硅-晶圓制造-電子測試-封裝-營銷）的企業之一。
南科工廠一角中國南科集團旗下有：
1、珠海南科電子有限公司（ATC），1989年創立。
2、珠海南科單晶硅有限公司（SILICONA），1996年創立。
3、珠海南科集成電子有限公司（ACS [
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