英飛凌與中芯將合作協議擴展至90納米

英飛凌科技股份有限公司和中芯國際集成電路制造有限公司 近日共同宣布，雙方已經簽署合作協議，進一步擴展在標準記憶芯片（DRAM）產品生產領域中的現有合作，開始90納米標準的產品合作生產。 

根據新協議的內容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術和300毫米產品生產技術轉讓于中芯國際，并可以在未來期間靈活進行其70納米技術的進一步轉讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨家生產屬于此技術范圍之內的產品。預計在2006年中期完成產品的最終驗證之后，中芯國際將開始將其目前用于英飛凌110納米DRAM產品的300毫米生產線轉移至90納米產品之上。

“我們與中芯國際的合作起步于2002年十二月，此次的擴展協議將進一步增大我們現有的生產合作協議內容，從而可以在無需投資修建新生產線的前提下繼續拓展我們的DRAM 業務”，英飛凌科技股份有限公司管理董事會成員兼英飛凌存儲產品業務集團總裁羅建華（Kin Wah Loh）先生表示。 “中芯國際是我們在中國和亞洲的核心合作伙伴。我們希望繼續仰仗他們為英飛凌提供具有高效益的最佳生產制造解決方案”。

“我們非常高興能將我們與英飛凌的合作進一步擴展至90納米生產領域。這一事實再次證明雙方對進一步推進DRAM產品發展的共同承諾”，中芯國際集成電路制造有限公司總裁兼首席執行官張汝京（Richard Chang）博士表示。 “通過將英飛凌位于業界第一線的尖端技術與中芯國際可靠而先進的生產制造能力進行完美結合，我們將可以進一步加強在亞洲，特別是中國所享有的市場領先優勢。中芯國際的工作方向將著眼于繼續為英飛凌提供無縫生產制造服務。”