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        Intel65nm工藝成熟尋獲漏電流解決辦法

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        作者: 時間:2005-12-22 來源: 收藏
           即將推出一系列基于65nm工藝的處理器,這已經是公開的秘密。65nm的工藝使得可以在一片晶圓中制造出更多的處理器,隨之而來的是產能、效率以及利潤的增長。當然,這種工藝更復雜、需要巨大的投資以提高成品率。 目前,處理器的典型研發周期是24到32個月,而在十年以前是大約48個月。研發過程的主要任務就是尋找和定位錯誤。的技術和研發集團專門負責發現錯誤并對其進行修正——這往往被稱為“納米手術”,因為整個過程都在10nm以內的空間內進行。集團的領導Markus Kuhn指出:Intel現在可以對5nm左右的晶體結構進行操作,相當于對一個原子進行控制。

            Intel Fab12工廠的經理Steven Megli表示:即使制造環境的濕度稍有不同,也會對成品率造成嚴重影響。Intel希望在全球的工廠推廣65nm工藝,但Steven Megli也承認這幾乎不太可能,即使在Fab12,也只有90%的環境參數滿足要求。

        Intel在量產之前不放過任何一個微小錯誤的努力得到了回報——65nm的工藝僅需20個月就達到了成熟的水平,而180nm用了38個月、130nm用了30個月、90nm用了26個月。

        Intel可以發現任何微小的錯誤,但為何沒有發現基于90nm工藝的處理器明顯的電流泄漏現象?對此,Markus Kuhn表示:Intel很清楚的意識到了這個問題,但這個問題是在研發的過程中引入的。雖然在提升處理器頻率時會產生巨大的熱量,但之前Intel認為這個問題不太重要。這僅僅到最近這才成為一個令人頭疼的問題。在65nm工藝中,電流泄漏已經大大降低。但Markus Kuhn認為業界無法氧化柵極所帶來的電流泄漏問題,這屬于量子機械效應,不可避免。

        那么,Intel能在這條路走多遠呢?Markus Kuhn表示這遠無止境。下一個研發的目標是32nm工藝的處理器,并有望在2009年投放市場。隨后,就將步入納米時代,瞄準20nm或更細的工藝。


        關鍵詞: Intel 解決 漏電流

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