諾發推出介電材料處理UVTP系統
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多平臺順序處理結構可以幫助半導體制造商提高成品率和降低制造成本
諾發系統有限公司近日推出了SOLA™—業界首套針對先進介電薄膜的淀積后處理的紫外熱處理（UVTP）系統。SOLA為300mm晶圓的大批量生產而設計，可以滿足下一代消費電子產品必需的新材料和制造技術的需求。
SOLA是實現許多先進薄膜應用的關鍵設備，其中包括晶體管水平高應力氮化硅薄膜（HSN）和互連層致密性或多孔性低 –k介電材料。通過將紫外光與熱處理相結合，SOLA使薄膜材料的淀積后處理可在較低溫度下進行，這是與其它新材料例如硅化鎳進行整合時所需的必要工藝。將經過等離子體增強化學氣相淀積（PECVD）的晶圓送入SOLA后，晶圓就被暴露在均勻的紫外燈下以改變薄膜性質。同時，晶圓被加熱至均勻溫度，通常為450 C或更低。對于HSN薄膜，SOLA的紫外輻射可以促進鍵的重排和體積收縮，從而得到更高的應力以增強器件性能。對于多孔低-k薄膜，紫外輻射有利于POROGEN的消除和介電薄膜機械強度的加強，從而有助于后續工藝處理。
SOLA獨特的紫外燈組合包括直線型雙燈管和光學反射系統。經過最佳安排，SOLA可以為300mm晶圓提供均勻的紫外光輻射。這樣的安排可以將會導致不必要的晶片受熱和處理結果不均勻等后果的紅外（IR）線控制在最小程度。SOLA還具有多平臺順序處理（MSST）專利技術，該技術可以提供高處理能力和業界領先的處理不均勻程度（小于2%）。
SOLA還是市場上首套可獨立控制各處理平臺的紫外光強度、溫度和處理時間的UVTP系統。諾發公司高級副總裁兼PECVD和電鍍填充事業部總經理Tim Archer說：“我們可以調節SOLA提供的輻射能量，以滿足各種薄膜材料處理的需要。盡管目前的應用領域集中于多孔低-k薄膜和HSN薄膜，但我們預期可能會有其它薄膜材料也可以得益于SOLA的工藝靈活性。”
同時，高生產率SOLA平臺還組合了獨特的凈化硬件，它可以將晶圓處理過程中的清理要求降到最低程度。在每次清理之前，SOLA可以處理100多片含POROGEN的晶圓,其凈化功效比行業平均水平高20倍。
諾發公司負責銷售、市場營銷和客戶滿意度的執行副總裁Tom Caulfield博士說：“我們已經向歐洲、北美和亞洲的客戶提供了SOLA系統。領先的集成器件制造商和代工廠告訴我們SOLA為前段（FEOL）和后段（BEOL）薄膜應用提供了優異的UVTP處理后性能。”
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