2008年復旦-諾發國際銅互連及相關技術研討會最佳研究生論文競賽正式展開

復旦-諾發國際銅互連及相關技術研討會
Best Graduates Paper Contest
最佳研究生論文競賽
論文截止日期：2008年2月28號 

    復旦-諾發國際銅互連及相關技術研討會將于2008年舉辦第一屆最佳研究生論文競賽。該會議是由復旦-諾發互連研究中心舉辦的一年一次的國際會議，致力于為半導體工藝、先進材料研究和銅互連技術的大學生、研究人員以及工業界工程師提供一個關于半導體新技術的交流討論平臺，并提供了與世界一流半導體技術專家交流學習的機會。

    本次最佳研究生論文競賽的參賽對象為：中國大陸地區的高校及科研院所的在校研究生。參賽領域包括：

1，半導體制造和互連工藝中的新技術(Novel technology for semiconductor processing and interconnect) 
2，Cu/Low k 集成技術 (Cu/Low k Integration) 
3，面向45nm及以下技術結點的PVD/CVD/ALD擴散阻擋層和銅籽晶層 (PVD/CVD/ALD barrier and seed layers for copper for 45nm and beyond) 
4，化學機械拋光材料和工藝技術(CMP material and process technology) 
5，干法工藝（溝槽結構和雙鑲嵌工藝，干法刻蝕工藝，等離子體造成的損傷，等） (Dry Processing (Trenches & Damascene structures, dry cleaning processes, plasma induced damage, etc.) 
6，先進介質材料（低介電常數介質，高介電常數介質，抗反射薄膜等）以及薄膜淀積工藝進展（Advanced Dielectric materials (low k, high k, ARCs, etc.) and deposition processes development） 
7，先進電鍍技術（Advanced electrofill technology） 
8，金屬化的可靠性研究（Reliability of metallization） 
9，先進圖像轉移技術（Advanced patterning process） 
 
    論文競賽組織者非常歡迎來自互連技術的所有領域的優秀文章。最佳研究生論文競賽評委會將由2008年受邀的報告者以及來自學術界和諾發系統有限公司的專業人員組成。

    論文要求以電子格式提交，內容長度為三頁A4紙，包括所有的說明和圖表。文章必須為未公開發表的原創性的文章。提交的文章如果已經發表過、或在其它會議報告過將不會被接受。作者的聯系信息統一寫在文章的第一頁，內容包括姓名，機構，以及省市。文章必須用英文書寫。最佳論文競賽的論文格式參考IITC會議的格式，電子模板將在會議競賽網頁上登出。我們將在2008年3月發布文章是否被接收的通知，被接受的文章將在復旦－諾發國際互連研討會上進行報告。

    入選文章的作者將給予相應獎勵：

一等獎 1名；人民幣5000元；

二等獎 2名；人民幣3000元，

三等獎 3名；人民幣1000元。

鼓勵獎：若干。 

請將文章在2008年2月之前以Email形式發送給：

諾發系統半導體設備（上海）有限公司
Helen Xu，Email: helen.xu@novellus.com