海力士2010年半導體生產開支將增加一倍

　　據《韓國時報》報道，內存芯片廠商海力士半導體計劃在2010年向芯片生產投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。

　　這項開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內存生產，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產。

　　這篇報道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內存的需求超過了預期。這篇報道還預計海力士在2010年將在全球DRAM市場擴大領先于日本的Elpida公司的優勢。