全新國產DUV光刻機曝光：“套刻≤8nm”是個什么水平？

這兩天不少網友都在熱議工信部披露的新款國產氟化氬光刻機的消息，一時間，各種關于國產光刻機大突破言論滿天飛，甚至還有人一看到“套刻≤8nm”就認為這是8nm光刻機，也是令人啼笑皆非。

其實，早在6月20日，工信部就曾發布了《首臺（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）》公示，集成電路生產設備一欄當中，就有公示一款氟化氪光刻機和一款氟化氬光刻機。隨后在9月9日，工信部又將該通知重發了一遍：

氟化氪光刻機其實就是老式的248nm光源的KrF光刻機，分辨率為≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氬光刻機則是193nm光源的ArF光刻機（也被稱為DUV光刻機），但披露的這款依然是干式DUV光刻機，而非更先進的浸沒式DUV光刻機（也被稱為ArFi光刻機）。

從官方披露的參數來看，該DUV光刻機分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600光刻機有所提升（分辨率為90nm），但是仍并未達到可以生產28nm芯片的程度，更達不到制造什么8nm、7nm芯片的程度。很多網友直接把套刻精度跟光刻制造制程節點水平給搞混了。

光刻精度主要看的是光刻機的分辨率，65nm的分辨率，那么單次曝光能夠達到的工藝制程節點大概就在65nm左右。

套刻精度則指的是每一層光刻層之間的對準精度。眾所周知，芯片的制造過程，實際上是將很多層的光刻圖案一層一層的實現，并堆堆疊而成。一層圖案光刻完成后，需要再在上面繼續進行下一層圖案的光刻，而兩層之間需要精準對準，這個對準的精度就是套刻精度，并不是指能夠制造的芯片的工藝制程節點。

那么，這個65nm的光刻分辨率、套刻精度≤8nm，能夠做到多少納米制程呢？又相當于目前ASML什么水平的光刻機呢？可以對比看下面的ASML光刻機的參數：

（更多細節分析，可以訪問此鏈接查看全文：mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA4MTE5OTQxOQ==&mid=2650102133&idx=1&sn=
17aacfa6609299a6df6a7d7a660c1e67&chksm=87995121b0eed8375733262d9e6473229bd920f35f3c4e9b1e3c72946c06be1ec91780120214&payreadticket=HK9dGX615vOYrGxHKXNj0WZ2vmYBO999Pza5Jxhyzodx5FsUqNG_Z9Ap_Aos_x220CFU_8E#rd）

作者：芯智訊-浪客劍