美光宣布量產第九代TLC NAND閃存技術：寫入速度比競品快99%！

2024年7月31日，存儲芯片大廠美光科技今日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術的SSD現已開始出貨，成為首家達成這項里程碑的企業。

據介紹，美光G9 NAND傳輸速率3.6 GB/s為業界之冠，為數據讀取及寫入提供無可比擬的頻寬。不論是在個人裝置、邊緣服務器，或是企業及云端數據中心，這顆NAND新品均可展現同級最佳性能，滿足人工智慧及其他運用大量數據的使用情境。

美光G9 NAND善用業界最高NAND I/O速率，符合工作負載處理大量數據的高吞吐量需求，和市面上現已出貨的其他NAND SSD產品相比，數據傳輸速率加快50%；與現有NAND競品方案相較，美光G9 NAND的每芯粒寫入帶寬擴大達99%、讀取帶寬擴大達88%，從每顆芯粒就占盡優勢，自然有助于SSD和嵌入式NAND解決方案的性能及功耗表現。

美光G9 NAND還延續了前代產品特色，采用11.5mm x 13.5mm封裝，體積較競品縮小28%，成為目前市場上體積最小的高密度NAND，由于密度提高、體積縮小，更能自由設計各種使用場景。

美光技術和產品執行副總裁Scott DeBoer表示：“美光G9 NAND正式出貨，證明美光在制程技術與設計創新上的強大實力，相較于目前市面上的競品，美光G9 NAND的密度提高73%，可建構體積更小、性能更高的儲存方案，對消費者和企業均有益。”

美光執行副總裁Sumit Sadana強調：“美光已在連續三代產品中，均引領業界推出創新和頂尖的NAND技術。美光G9 NAND可為其整合產品提供顯著優于競品之表現，并可做為儲存創新的基礎，為各終端市場客戶創造價值”。

美光G9 NAND在美光2650 SSD內發揮同級最佳表現

美光2650 NVMe SSD內置頂級G9 TLC NAND，在PCMark? 10測試[5]中超越競品，為日常運算提供同級最佳使用者體驗。

美光副總裁兼客戶端儲存事業部總經理Prasad Alluri指出：「即使PCIe Gen4市場理論上近乎飽和，美光2650 SSD采用最新G9 NAND技術，推進TLC客戶端SSD的極限，這款硬盤產品在PCMark 10的測試標準中，表現比競品高出38%，將重新定義同等級SSD的使用者體驗」。

IDC固態硬盤及創新技術研究部門副總裁Jeff Janukowicz表示：“AI演進增加數據生成量，也因此需要更大儲存空間，客戶亦要求提升性能，以跟上AI發展速度。美光2650等SSD產品受惠于新一代NAND創新，將成為企業和個別消費者不可或缺的關鍵技術”。

美光2650 NVMe SSD提供領先同級產品的穩定度，主打有助性能的加速緩存，藉由Dynamic SLC Cache，進一步提高寫入表現。美光2650 NVMe SSD為PCIe Gen4提供實際飽和性能，連續讀取速率高達7,000 MB/s，相較于競品，連續讀取速率最高提升70%、連續寫入速率最高提升103%、隨機讀取速率最高提升156%、隨機寫入速率最高提升85 %，這些優異數據突顯美光決心突破技術極限，為客戶締造無與倫比的表現。

G9 NAND除了內置于美光2650 SSD提供給客戶端OEM，亦可以零組件或嵌入消費者Crucial SSD形式供應給客戶，更多相關資訊請見美光G9 NAND and美光2650客戶端SSD頁面。

編輯：芯智訊-林子