何時(shí)采用High NA EUV？臺(tái)積電張曉強(qiáng)這樣回應(yīng)

近日，YouTube博主TechTechPotato發(fā)布與臺(tái)積電資深副總暨副共同營運(yùn)長張曉強(qiáng)29分鐘的訪談。張曉強(qiáng)在訪談中回應(yīng)了關(guān)于臺(tái)積電何時(shí)采用高數(shù)值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光刻設(shè)備的問題。

在去年年底，光刻機(jī)大廠ASML就宣布已向英特爾發(fā)運(yùn)了全球首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)。隨后在今年的4月18日，英特爾公司宣布在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地達(dá)成了先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一個(gè)重要里程碑，完成了業(yè)界首個(gè)商用High NA EUV光刻機(jī)的組裝。該設(shè)備將會(huì)首先被用于Intel 18A 的測(cè)試，最終會(huì)被用于2026年Intel 16A制程的量產(chǎn)。

此前，臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)曾公開表示，雖然對(duì)High NA EUV能力印象深刻，但設(shè)備價(jià)格超過 3.5 億歐元（3.78 億美元）。目前的標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)，仍可以支持臺(tái)積電尖端制程的生產(chǎn)到2026年，臺(tái)積電最新曝光的尖端制程A16也將會(huì)繼續(xù)采用標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)來進(jìn)行生產(chǎn)。

不過，隨后有媒體報(bào)道稱，雖然臺(tái)積電預(yù)計(jì)在A16制程技術(shù)后的產(chǎn)品才考慮采用High NA EUV光刻機(jī)，但是魏哲家于今年5月密訪ASML總部的動(dòng)作引發(fā)了大家的議論，認(rèn)為臺(tái)積電有可能會(huì)修正其原定的計(jì)劃，提前采用High NA EUV光刻機(jī)。

對(duì)此，張曉強(qiáng)在最新的采訪中回應(yīng)稱，“相信臺(tái)積電研發(fā)團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)專注于新的EUV應(yīng)用，這明顯包含High NA EUV設(shè)備，我們將選擇合適的技術(shù)節(jié)點(diǎn)來使用，畢竟需要考慮很多因素。”

張曉強(qiáng)進(jìn)一步指出，“這顯然存在可擴(kuò)展性因素，還有制造成本因素，所以我相信我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)會(huì)做出最好的決定，在哪個(gè)時(shí)間點(diǎn)、哪個(gè)制程節(jié)點(diǎn)選擇下一代EUV來應(yīng)用。”

編輯：芯智訊-林子