英偉達 RTX 50 系列顯卡被曝推遲，需重新流片以提升良率

IT之家 9 月 3 日消息，中國臺灣《工商時報》今天報道稱，臺積電 CoW-SoW 預計 2027 年量產。為提升良率，英偉達需要重新設計 GPU 頂部金屬層和凸點。

不只是 AI 芯片需要 RTO（重新流片）修改設計，@手機晶片達人 表示英偉達正準備發布的 RTX 50 系列消費級顯卡 GPU 也需要 RTO，故上市時間有所推遲。

英偉達 Blackwell 被黃仁勛稱為「非常非常大的 GPU」，當然它確實也是目前業界面積最大的 GPU，由兩顆 Blackwell 芯片拼接而成，采用臺積電 4nm 制程，擁有 2080 億個晶體管。也正因此，這類芯片難免會遇到封裝方式過于復雜的問題。

臺積電的 CoWoS-L 封裝技術需使用 LSI（本地互連）橋接 RDL（硅中介層）連接芯粒，傳輸速度可達 10TB/s 左右，不過由于封裝步驟中橋接精度要求極高，稍有缺陷便有可能導致這顆價值 4 萬美元（IT之家備注：當前約 28.4 萬元人民幣）的芯片報廢，從而影響良率及成本。

法人透露，由于 GPU 芯粒、LSI 橋接、RDL 中介層和主基板之間的熱膨脹系數（CTE）相異，導致芯片翹曲、系統故障，故英偉達需重新設計 GPU 頂部金屬層和凸點，以提高封裝良率。

當然，這類問題不只是英偉達存在，只是英偉達出貨量較高，所以更敏感。供應鏈透露，這類問題只會越來越多，而這種為了消除缺陷或為提高良率而變更芯片設計的方式在業內相當常見。AMD CEO 蘇姿豐也曾透露，隨著芯片尺寸不斷擴大，制造復雜度將不可避免地增加，次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，才能滿足 AI 數據中心對算力的巨大需求。

為應對此類大芯片趨勢、及 AI 負載需要更多 HBM，臺積電計劃結合 InFO-SoW 和 SoIC 為 CoW-SoW，將存儲芯片或邏輯芯片堆疊于晶圓上，并預計于 2027 年實現量產。