傳美國將進一步限制GAA技術及HBM對華出口

6月12日消息，據知情人士爆料稱，美國拜登政府希望進一步限制中國獲得用于制造尖端芯片的全環繞柵極（GAA）晶體管技術，同時還有消息稱，美國還將限制高帶寬內存（HBM）技術的對華出口，這對人工智能加速器至關重要。

報道稱，GAA晶體管技術將進一步提升晶體管密度，同時提供了功率和性能優勢，但該技術目前僅用于最尖端的工藝節點。目前，只有三星在其 3nm 節點上生產了這項技術。英特爾將在其Intel 20A 節點中采用 GAA，臺積電則計劃在2nm制程上采用GAA技術。

美日歐現有的對華出口管制政策，限制了中國獲得16/14nm以下先進制程所需的半導體制造設備。盡管如此，中國還是有其他方法可以規避這些限制并提高其現有工藝節點的性能，此前的信息顯示，中國已經具備7nm制程的量產能力，同時有可能在無需EUV光刻機的情況下實現5nm制程的量產。

甚至中國晶圓制造商可以將GAA晶體管技術移植到其現有的7nm工藝節點上，雖然這不能提供使用3nm GAA及以下工藝的技術的全部好處，但可以想象，它將在功率和性能方面有所提高。由于GAA是通過單一圖案完成的，因此中國可能會利用其現有的芯片制造工具完成這一壯舉。

華為云服務首席執行官張平安認最近表示，他認為中國不會在短期內獲得3.5nm或更小芯片的芯片制造設備，所以中國應該努力更好地利用其現有的7nm工藝節點。

此前美國已經對GAA技術實施了出口管子，目前尚未有任何加強限制的條件的官方消息。相關的傳聞都是不具名的，所以真實性依然存疑。

不過，對HBM出口的新限制可能并不是那么的遙遠，因為HBM對于人工智能芯片的開發和生成式人工智能模型的發展非常重要，而人工智能技術是美國重點關注和對華限制的領域。

編輯：芯智訊-浪客劍