華虹無錫一期項目二階段擴產完成，實現總產能9.45萬片/月

1月27日消息，近日業內消息顯示，華虹無錫12英寸產線已經完成了一期的增資擴產，新增12英寸產品投片2.95萬片/月，實現了一期項目月產9.45萬片總目標。

資料顯示，2017年8月，華虹無錫一期項目落戶無錫高新區。一期項目 (華虹七廠)投資25億美元，建成投片的一條工藝等級90 ~ 65/55納米、月產能4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線。2019年9月17日，華虹無錫集成電路研發和制造基地一期12英寸生產線正式建成投產。

2021年，無錫華虹集成電路一期擴能項目啟動，計劃總投資52億元，將形成一條工藝等級90-65/55nm、月產能達到6.5萬片的12吋特色工藝集成電路芯片生產線。

2022年6月，無錫華虹集成電路一期（二階段）擴能項目開始規劃，總投資在758664萬元，2023年1月動工，在2023年6月~9月期間進行調試，驗收報告完成于2023年11月，并在2023年12月發布公示，新增12英寸產品投片2.95萬片/月。

目前，一期項目經過兩輪擴產，實現月產9.45萬片總目標。在這9.45萬片投片中，包含2 萬片/月嵌入式非易失性存儲器、 1.7 萬片/月模擬和電源管理芯片、 2.95 萬片/月邏輯和射頻開關芯片、 2.8 萬片/月功率半導體芯片。工藝維持在90nm-65/55nm 工藝。

值得一提的是，華虹無錫一期項目是全球領先的12英寸特色工藝生產線，也是全球第一條12英寸功率器件代工生產線。華虹無錫工藝節點覆蓋90~65/55納米，先進“特色IC + Power Discrete”強大的工藝平臺有力支持新能源汽車、綠色能源、物聯網等新興領域應用，其卓越的質量管理體系亦滿足汽車電子芯片生產的嚴苛要求。

2023年6月8日，華虹集團決定由華虹宏力在無錫高新區啟動實施華虹無錫集成電路研發和制造基地二期（華虹九廠）項目，投資67億美元，新建一條產能8.3萬片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產線。2023年6月30日，華虹無錫二期項目正式開工，12月24日項目主廠房鋼屋架吊裝完成，在不到半年時間內，廠房主體建設就已完成70%。

編輯：芯智訊-浪客劍