消息稱ASML明年推出用于2nm芯片制造的高NA光刻機，英特爾已采購6臺

SamMobile 消息稱，ASML 將于未來幾個月內推出用于 2nm 制程節點的芯片制造設備，將數值孔徑（NA）光學性能從 0.33 提高到 0.55，而三星計劃在 2025 年底開始生產 2nm 芯片。

據稱，ASML 明年規劃產能僅有 10 臺，而英特爾已經預訂了其中 6 臺，不過 ASML 計劃在未來幾年內將此設備產能提高到每年 20 臺。

目前，ASML 官網列出的 EUV 光刻機僅有兩款 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C，均配備 0.33 NA的反射式投影光學器件及13.5nm EUV 光源，分別適用于 3/5nm 和 5/7nm 芯片制造。

ASML 發言人曾透露，EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 系統，具有更高的光刻分辨率，可將芯片縮小 1.7 分之一，同時密度增加至 2.9 倍。

之前的報道顯示，ASML 第一臺 0.55 NA EUV 光刻機計劃于 2025 年后量產，第一臺將交付給英特爾。

英特爾發言人稱，公司將成為 ASML 第一臺 EXE:5200 的買家。與 EXE:5000 相比，EXE:5200 預計將帶來幾項改進，包括更高的生產率等等。

根據 Gartner 分析師 Alan Priestley 的預測，0.55 NA EUV 光刻機單價將翻番到 3 億美元（IT之家備注：當前約 21.42 億元人民幣）。

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