Rapidus宣布攜手東京大學和法國Leti研發1nm技術

11月17日消息，據日經新聞報道，目標在2027年量產2nm芯片的日本晶圓代工廠商——Rapidus近日又宣布攜手東京大學和法國半導體研究機構Leti研發1nm等級芯片設計的基礎技術。

據了解，三方并將在2024年正式展開人才交流、技術共享，目標是運用Leti的半導體元件技術，建構提升自動駕駛、人工智能（AI）不可或缺的1nm芯片產品供應機制。

今年10月，Rapidus、東大等日本國立大學以及理化學研究所參與的研究機構“最先進半導體技術中心（LSTC）”已經和Leti簽訂了考慮合作的備忘錄。LSTC和Leti的目標是確立1.4nm-1nm芯片研發所必要的基礎技術。

報道指出，在2nm芯片的量產上，Rapidus正和美國IBM、比利時半導體研發機構imec合作，且也考慮在1nm等級產品上和IBM進行合作。預計在2030年代以后普及的1nm產品運算性能將較2nm提高10%-20%。

資料顯示，Rapidus于2022年8月成立，由豐田、Sony、NTT、NEC、軟銀(Softbank)、電裝（Denso）、NAND Flash大廠鎧俠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出資設立，出資額各為73億日圓，且日本政府也將提供700億日圓補助金、作為其研發預算。目標是在5年后的2027年開始量產2nm先進制程芯片。Rapidus計劃國產化的對象為使用于自動駕駛、人工智能(AI)等用途的先進邏輯芯片。

今年2月底，Rapidus宣布將在日本北部島嶼北海道的千歲市建造一座2nm晶圓代工廠。Rapidus將基于IBM的2nm制程技術，研發“Rapidus版”制造技術，計劃2027年量產。而“Rapidus版”制造技術將會聚焦“高性能計算（HPC）”和“超低功耗（Ultra Low Power）”兩大方向。市場消息表示，Rapidus北海道2nm產線將分為三個或四個階段，稱為創新整合制造 (IIM)。IIM-1 階段將制造 2nm芯片，IIM-2 處理比2nm更先進制程。

今年9月初，Rapidus 2nm晶圓廠已經正式動工建設，目標是在 2025 年之前將其 2nm 晶圓廠建成并試生產，隨后在2027年量產2nm芯片。屆時，日本有望成為繼美國、中國臺灣、韓國、愛爾蘭之后，成為全球第5個擁有導入EUV的芯片量產產線的地區。

編輯：芯智訊-林子