美國政府向格芯提供3500萬美元資助，提升氮化鎵芯片供應能力

11月1日消息，晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）已經從美國政府手中獲得了3,500萬美元的聯邦資金資助，以加速該公司位于美國佛蒙特州Essex Junction的晶圓廠對于第三代半導體——氮化鎵（GaN）的大規模量產。

GaN芯片在處理高電壓和高溫環境能力方面表現突出，使其能為基礎設施、手機、汽車、工業物聯網（IoT）、電網和其他關鍵基礎設施的5G和6G通信提供出色的性能和效率。

此前美國國防部Trusted Access Program Office（TAPO）給予的31億美元新資金，格芯計劃購買額外的工具，以擴大開發和設計能力，更接近大規模生產8英寸GaN晶圓。做為投資的一部分，格芯計劃實施新的計劃，以減少公司及其客戶對鎵（Ga）供應鏈限制的風險，同時提高美國制造的GaN芯片的速度、供應能力和競爭力。

格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示，GaN是高性能射頻、高壓功率開關等新興市場的控制應用理想技術，將對6G無線通信、工業物聯網和電動汽車產生重大的影響。而格芯與美國政府有著長期的合作伙伴關系，這筆資金對于使GaN芯片能更接近大量生產階段。另外，這些芯片也將使格芯的客戶能夠達成大膽的新設計，進一步突破每天所依賴關鍵技術的能耗和性能極限。

格芯位于美國佛蒙特州伯靈頓附近Essex Junction的晶圓廠為美國最早的主要半導體制造基地之一。如今，約有1,800員工在此地工作。在此格芯晶圓廠所制造出來的芯片將被用于世界各地的智能型手機、汽車和通信基礎設施上。另外，該晶圓廠是也DMEA認證的可信賴晶圓廠，用以與美國國防部合作生產安全芯片，應用于美國一些最敏感的航空航天和國防系統上。

編輯：芯智訊-林子