美國芯片法案“護欄規則”公布：限制相關廠商擴大在華制造能力！

近日，美國商務部（BIS）正式公布了實施《科學與芯片法案》（以下簡稱“芯片法案”）配套的巨額補貼發放的“國家安全護欄”的最終規則。該規則詳細闡述了法規的兩個核心條款：第一，禁止“芯片法案”資金接受者在10年內擴大在外國關注的材料半導體制造能力；其次，限制補貼接受者與相關外國實體進行某些聯合研究或技術許可工作。

美國商務部芯片計劃辦公室（CHIPS Program Office）稱，該規則將有助于確?！靶酒ò浮蓖顿Y與盟友和合作伙伴協調增強全球供應鏈的彈性?！靶酒ò浮笔前莸强偨y投資美國議程的一部分，旨在釋放制造業和創新熱潮、提高美國競爭力并加強經濟和國家安全。

美國商務部芯片計劃辦公室指出，這一最終規則是在仔細考慮針對2023 年 3 月發布的擬議規則而提交的評論后制定的。該部門在制定本規則時，審查并吸收了國內外半導體行業、學術界、勞工組織、行業協會等利益相關者的建議。該規則提供了適用于“芯片法案”激勵計劃的國家安全措施的細節和定義，包括限制資金接受者在相關國家擴大半導體制造。

“通過《芯片與科學法案》，拜登-哈里斯政府的首要任務之一是擴大美國以及我們的盟友和合作伙伴的技術領先地位。這些護欄將保護我們的國家安全，并幫助美國在未來幾十年保持領先地位?！泵绹虅詹块L吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo)表示。“美國芯片從根本上來說是一項國家安全倡議，這些護欄將有助于確保接受美國政府資金的公司不會損害我們的國家安全，因為我們將繼續與我們的盟友和合作伙伴協調，以加強全球供應鏈并增強我們的集體安全。”

美國通過的《芯片和科學法案》包括加強國家安全的明確“護欄”規則如下：

禁止“芯片法案”激勵資金的接受者使用該資金在美國境外建造、修改或改進半導體設施；
限制“芯片法案”激勵資金的接受者在獎勵之日起 10 年內投資于所關注的外國國家的大多數半導體制造業；和，
限制“芯片法案”激勵資金的接受者與涉及引起國家安全問題的技術或產品相關的外國實體參與某些聯合研究或技術許可工作。

如果違反這些護欄，商務部可以收回全部聯邦財政援助金。

相關細則包括：

制定標準限制先進設施在國外的關注國家擴張：該法規禁止自授予之日起10年內在相關國家對尖端和先進設施的半導體制造能力進行實質性擴張。除了前端和后端工藝之外，該規則還明確晶圓生產也包含在半導體制造的定義中。最終規則將半導體制造能力的擴大與潔凈室或其他物理空間的增加聯系在一起，并將材料擴張定義為將設施的生產能力提高5%以上。該閾值旨在捕獲擴大制造能力的適度交易，但允許資金接受者通過正常的業務過程設備升級和效率提高來維護其現有設施。

限制在受關注的外國擴建舊設施：該法規限制在受關注的外國擴建和新建舊設施。該規則提供了有關此限制的詳細信息，禁止接收者添加新的潔凈室空間或生產線，從而導致設施的生產能力擴大超過 10%。該規則為計劃擴大舊芯片設施的接收者建立了一個通知流程，以便商務部可以確認是否遵守國家安全護欄。

將半導體列為對國家安全至關重要的半導體：雖然該法規允許相關公司在有限的情況下在受關注的外國國家擴大傳統芯片（成熟制程芯片）的生產，但最新的規則將一系列半導體列為對國家安全至關重要的半導體，從而使它們受到更嚴格的限制。涵蓋了具有對美國國家安全需求至關重要的獨特特性的芯片，包括用于量子計算、輻射密集環境以及其他專業軍事能力的當前一代和成熟節點芯片。該半導體芯片清單是與國防部和美國情報界協商制定的。

與外國相關實體進行聯合研究和技術許可工作的詳細限制：該法規限制所涵蓋的實體與涉及引起國家安全問題的技術或產品相關的外國實體進行聯合研究或技術許可。受關注的外國實體包括由受關注國家擁有或控制的實體、工業與安全局 (BIS) 實體清單和財政部中國軍工綜合體公司 (NS-CMIC) 清單上的實體，以及《外國實體清單》中概述的其他實體。法令。這一限制不適用于現有業務所必需且不會威脅國家安全的幾種類型的活動，例如與國際標準相關的活動、涉及專利許可的活動以及使資金接受者能夠利用鑄造和包裝服務的活動。

編者按：

美國最終公布的關于“芯片法案”補貼申請的最終“護欄條款”與之前公布的基本一致，其主要目的是限制在美國投資的并申請獲得美國“芯片法案”補貼的半導體制造企業同時在包括中國大陸等受關注國家擴大半導體投資。其中，對于先進制程的投資，限制期限是10年，產能擴大規模限制在5%以內。這也意味著，三星、SK海力士、臺積電等晶圓制造商未來十年內將無法在中國大陸有效擴大對于先進制程的投資。雖然可以有限的繼續投資成熟制程（限制比之前預期的小了一些），但是隨著技術的持續推進及市場競爭的加劇，原有的“先進”制程將會成為落后的“成熟制程”，因此如果原有的生產設施長期無法進行技術升級，其所生產出的產品競爭力必將持續下滑。同樣，由于半導體制造業具有較強的規模效益，如果原有的生產設施無法持續擴大產能，其所能為企業帶來的經濟效應也將持續下滑。這些都將會導致相關外資半導體制造商在國內投資持續萎縮的同時，其生產設施的價值及重要性將會持續下滑。

目前三星在西安的兩座3D NAND工廠，投片量占該公司 NAND 閃存總產能的 42.3%，全球產能占比也高達 15.3%。SK海力士同樣也有約50%的DRAM產能在中國大陸。相比之下，臺積電在中國大陸的產能占比較低，遠低于10%。其中，三星目前正在美國德克薩斯州泰勒市投資170億美元建造一座4nm晶圓廠，并有申請美國方面的補貼。而SK海力士目前尚未在美國投資建設半導體晶圓廠。因此，預計美國的“護欄”規則預計將會對于三星將造成更大影響。

但需要指出的是，除了該“護欄條款”之外，美國的對華半導體禁令還限制了相關半導體制造設備的對華出口，雖然此前三星、SK海力士、臺積電在華晶圓廠都獲得了1年的豁免期，但是該期限即將到期，美國尚未對其延長豁免，即便后續得以延長，那么會延長多久依然是個問題。這將是懸在這些廠商頭上的達摩克利斯之劍，因為如果無法獲得相關的半導體制造設備，他們的在華晶圓廠運營可能很快將會陷入停滯。

編輯：芯智訊-浪客劍