ASML的稱霸之路！

來源：自由財經

當今世界前三光刻機制造商依序排名為，荷蘭阿斯麥（ASML）以及日本的尼康（Nikon）、佳能（Canon），尼康與佳能是百年相機老牌不必多說，但是阿斯麥是什么來頭？這個1984年才成立，年齡只有39歲的小伙，是如何反超2個老前輩，成為眾星捧月的半導體設備供應商？

臺積電浸潤式微影技術 只有ASML相信

從上世紀80年代截至本世紀初，全球光刻機企業屈指可數，當時的霸主還是美國GCA（1988年被收購）以及尼康和佳能，阿斯麥在行業內算是無名小卒，不過這樣的小卒卻非常幸運的碰上2位貴人。

第1位貴人：臺積電。在2004年以前，光刻機技術主要還是以干式曝光為主，這時卻殺出個林本堅，林本堅時任臺積電研發副總經理，2002年發明出浸潤式微影技術，這個不被尼康、佳能看好的新技術，當時受到了阿斯麥的重用，他們一拍即合，僅用1年時間，就在2004年拼全力趕出第1臺樣機，并先后奪下IBM和臺積電等大客戶的訂單。

可以這么說，阿斯麥的成功靠的不是自己，而是林本堅，他的193納米浸潤式微影技術能顯著提升蝕刻精度，使其成為當時高端光刻機的主流技術方案，一舉壟斷市場。當然，臺積電之后在技術、人才、資金方面持續加碼，也促進了阿斯麥在市場上所向披靡。

第2位貴人：英特爾（Intel）。1997年，為了嘗試突破193納米，英特爾早就聯合政府、企業成立EUV LLC前沿技術組織，成員除了英特爾以外，還有美國能源部、摩托羅拉（Motorola）、超微半導體（AMD）、IBM，最后1個位置英特爾本想拉尼康和阿斯麥入伙，問題是，這2間公司1個來自日本、1個來自荷蘭，但極紫外光（EUV）被美國視為半導體產業發展的核心技術，所以不希望外企參與其中。最后，阿斯麥與美國達成協議，正式成為組織一員。

美國對日本半導體存戒心 

阿斯麥在加入起初就遞交投名狀，同意在美國建立1所工廠和1個研發中心，以此滿足所有美國本土的產能需求，還保證55%的零組件均從美國供應商處采購，并接受定期審查。

眾所周知的是，日本半導體產業在80年代一度強大到可以吊打美國，逼得美國對日本發動全面貿易戰才將日本的半導體產業打下去，所以比起荷蘭，美國對日本存有更大戒心，因此才放棄尼康。

因為2位貴人的加持，阿斯麥終于在2015年將極紫外光工藝處于可量產狀態，不僅不愁沒有地方賣，每家半導體制造商還都搶著要。隨后5年，尼康痛失50%以上的光刻機市占率。

尼康閉門造車 錯失商機 

加入EUV LLC后的阿斯麥覺得，一旦研發出極紫外光技術，可能會被美國提防，于是決定讓出公司股份，讓英特爾、臺積電、三星（Samsung）等半導體大廠成為股東，這個決定證實阿斯麥不僅消除美國顧慮、贏得盟友，還因合作得到許多技術支援。

當對手靠產業鏈一起發力，尼康還在自己搞定。舉例而言，三星與臺積電生產的是DRAM、ASIC等通用性產品，追求產品通用性有助于生產線規格統一，結果尼康從投影系統、控制臺、對位系統、軟體甚至機身全是自制，只有照明系統采用德國蔡司（Zeiss）。

其結果就是尼康對各構成的知識非常豐富，且有很強的調整與客戶應對能力，但各構成系統的最優化方面幾乎沒有積累。阿斯麥則與之相反，設備搬入顧客工廠后還能微調模組，不斷積累下臺光刻機最佳模組化設計的經驗，與其他同業相比，阿斯麥完全是在做全球化光刻機。

一步踏錯步步錯

在那個還在想要把193納米光波再磨細的年代，半導體大隊分出2派人馬，1派是EUV LLC，另1派則以尼康為首，尼康既因企業本身，還有顧客面原因，仍主張采用前代技術的基礎上，使用157納米的F2雷射。

臺積電林本堅的技術他們不是不知道，只是若要改用全新工藝，前期投入的研發、設備等同于推倒重來，簡直是革自己的命，若真要采用，談何容易？不說日企「工匠精神」的心態問題，只說現實層面，未加入EUV LLC、未即時采用浸潤技術，尼康與佳能就注定讓位半導體設備商冠軍寶座。

在阿斯麥推出首臺極紫外光刻機后，雖然尼康很快也亮出了干式微影157納米技術的成品，但畢竟被阿斯麥搶了頭陣，何況波長還略落后于對手，等到1年后，尼康完成對浸潤微影的追趕，也無法再追上阿斯麥的步伐。

以光刻機技術而言，90納米、45納米、22納米分別是1個門檻，90納米升級到65納米不難，但65納米要到45納米可難了，干式曝光會在45納米這個門檻面臨極限。所以，當時只要誰能突破這個極限，誰就是贏家，而我們現在都知道這個贏家是誰。