三星擬2023年初推出32Gb DDR5；外媒稱高通將重返服務器芯片市場；三星下調10-11月智能手機出貨量…

【熱點速讀】

1、三星：計劃2023年初推出32Gb DDR5，2024年推出1TB內存模塊；

2、外媒稱高通將重返服務器芯片市場；

3、韓媒：三星電子庫存資產首次超過50萬億韓元，同比增產55%；

4、三星下調10-11月智能手機出貨量，明顯低于去年同期；

5、半導體設備廠應用材料第三季營收創新高，產品仍供不應求；

6、兆易創新推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品系列；

1、三星：計劃2023年初推出32Gb DDR5，2024年推出1TB內存模塊

據外媒報道，為了支持 AMD 和 Intel 推出下一代服務器平臺，三星計劃推出一系列全新的 DDR5 服務器內存模塊，配備業界首款 512GB RDIMM/LRDIMM，并基于16Gb 和 24Gb DDR5芯片。三星 DDR5 創新的下一步——32Gb IC——將在 2023 年初推出，并計劃在2023年底或2024年初制造1TB內存模塊。與此同時，三星打算在兩年內發布數據傳輸速率為7200 MT/s的產品。

報道稱，三星32Gb DDR5 [IC] 目前正在一個新的 [under-14nm] 工藝節點上開發，并計劃于明年初推出，基于 32Gb 的 UDIMM 將于明年年底或 2024 年初上市。屆時三星可能會正式推出其基礎上的第一款產品——用于客戶端 PC 的 32GB 無緩沖 DIMM。隨后，三星將展示其 1TB DDR5 內存模塊，該模塊將使用 32 個 8-Hi 32GB 堆棧，并將針對 2024 年至 2025 年時間框架內的服務器平臺。 

2、外媒稱高通將重返服務器芯片市場

據外媒報道，美國芯片大廠高通準備在服務器芯片市場卷土重來，瓜分這個高成長產業的280億美元商機，并降低自己對智能手機市場的依賴。

消息人士指出，高通正為去年以斥資 14 億美元收購的 CPU 新創 Nuvia 產品尋找新客戶，以重振該公司在服務器領域的雄心。目前高通已與亞馬遜的 AWS (云端運算服務) 業務接洽當中，亞馬遜已同意考慮高通的產品提案。

高通 CEO Cristiano Amon曾表示，Nuvia 技術可應用于其智能手機、筆記本電腦和汽車處理器。不過，Nuvia 最先成立的目標是研發基于 ARM 架構、用于數據中心的服務器芯片，希望從英特爾、AMD和 Nvidia手中分得一杯羹。

高通重返服務器業務將需要與先前的潛在客戶重建信任，如果這此成功的話，潛在獲利規模可能相當大，因為單個高階服務器芯片就要價超過 1 萬美元。

3、韓媒：三星電子庫存資產首次超過50萬億韓元，同比增產55%

隨著全球通脹，對經濟衰退的擔憂正在顯現，大公司中長期庫存明顯增加。這是因為，隨著下游需求急劇收縮，不僅是成品，而且導致零件的管道的庫存消耗放緩。

據韓媒報道，截至今年上半年，三星電子庫存為52.92萬億韓元，首次突破50萬億韓元大關。與去年同期（335,924億韓元）相比，增長了55.1%。SK海力士庫存增加33.2%至118,787億韓元，LG電子增加16.3%至96,844億韓元。

報道稱，三星電子已將電視等視頻設備生產線的利用率從第一季度（1-3月）的84.3%下調至第二季度的63.7%，將手機產線的利用率從81.0%下調至70.2%。

4、三星下調10-11月智能手機出貨量，明顯低于去年同期

據韓媒報導，三星已下調10-11月智能手機合計出貨量至3400萬支，這一數字明顯低于2021年同期及上一季出貨量。由于三星持續下調Q4手機產量與零組件訂單量，韓媒預估，2022年全年，三星智能手機出貨量可能只有2.6億支，較年中下修后的預估量（3億支）又再降低13.3％，也低于2021年出貨量約2.7億支，僅勉強高于2020年。

5、半導體設備廠應用材料第三季營收創新高，產品仍供不應求

當地時間周四美股盤后，半導體設備大廠應用材料（Applied Materials）公布2022會計年度第3季（截至2022年7月31日）財報。報告內，公司營收為65.20億美元，同比增長5%，創下歷史新高。

應用材料表示，產品仍處于供不應求狀態、積壓訂單持續攀高，未來數季仍將受制于供給面因素。目前看來，2022年晶圓廠設備支出約950億美元，公司2022年度晶圓廠設備營收預估將增長約15%。

6、兆易創新推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品系列

兆易創新宣布推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品——GD25UF系列。該系列在數據傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關鍵性能指標上均達到國際領先水平，在針對智能可穿戴設備、健康監測、物聯網設備或其它單電池供電的應用中，能顯著降低運行功耗，有效延長設備的續航時間。

兆易創新GD25UF產品系列工作電壓可擴展至1.14~1.6V，具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量選擇，能夠滿足智能設備所需的代碼存儲要求。

同時，為進一步滿足低功耗的需求，GD25UF產品系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式。在Normal Mode下，器件讀取電流在四通道120MHz的頻率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件讀取電流在四通道1MHz頻率下低至0.5mA，擦寫電流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。

相比于1.8V供電的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同電流情況下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同頻率下的功耗降低了70%，有效延長了設備的續航時間。