企業 | 華為公開IGBT相關專利！為發展第三代半導體和IGBT，華為做了什么？

日前，據天眼查消息顯示，華為技術有限公司公開“半導體器件及相關模塊、電路、制備方法”專利，公開號CN113054010A，申請日期為2021年2月。

專利摘要顯示，該器件包括：N型漂移層、P型基極層、N型****極層、柵極、場截止層和P型集電極層等。上述半導體器件，可以有效降低IGBT的集電極與****極之間的漏電流。

行業的發展往往依附于需求，近年來，IGBT市場需求大幅上漲，國內IGBT廠商隨之加速增長，部分下游應用廠商也向上游 IGBT 領域布局，華為也投身此浪潮。除IGBT，華為還持續布局第三代半導體。

自2019年起，業內就傳言華為開始著手研發IGBT。

2020年7月，華為旗下投資平臺哈勃，投資入股了一家IGBT廠商——東微半導體。據介紹，東微半導體主要產品為MOSFET、IGBT等高性能功率器件，主要滿足各種電能轉換系統的應用，包括快速充電器、充電樁、開關電源、直流電機驅動、光伏逆變器等。

今年3月，更是有知情人士透露，華為正在為公司的功率器件研發大肆招兵買馬，其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件，隊伍已有數百人之多。

而第三代半導體，既是十四五重點，也是兩會關鍵詞之一。隨著“碳中和”、“新基建”的提出，第三代半導體需求高漲，站上風口。

SiC方面，華為哈勃成立至今，已投資了8家第三代半導體相關企業，其中SiC企業就有4家，設計外延和襯底領域，足見華為對SiC的重視和看好。

GaN方面，早在幾年前，華為就已經在其4GLTE****中采用了氮化鎵功率放大器；2020年，華為發布了65WGaN（氮化鎵）雙口充電器，有傳言稱，此款充電器很有可能就是華為自研；同年8月，華為智能汽車解決方案BU總裁王軍在公眾場合透露，華為目前正在研發激光雷達技術。而GaN晶體管的進步已被證明是開發高精密激光雷達系統不可或缺的一部分。

文稿來源：化合物半導體市場，Amber