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        xl-flash 文章 最新資訊

        內存產業2008年再纏斗 戰線不斷擴大

        •   快閃內存產業的發展在2007年有點出乎各界意料,整個產業的高點反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦,大家的發展反而綁手綁腳,一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統的消費性電子產品旺季出現,反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下,可說是一團混亂,終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢,雖然大家對于「寒流」來襲,都已有心理準備,但仍是不敢大意。   TRI觀點:   2007年內存產業的變化多端,出乎大家的意料,然而其中影響甚巨的一個事件,就是Samsun
        • 關鍵字: 內存  NAND  Flash  MCU和嵌入式微處理器  

        基于USB息線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

        • 本文采用USB接口的ICP方法,燒寫速度快,無需專用的電平轉換芯片,硬件通過微處理器JB8的USB接口與計算機USB口連接即可。
        • 關鍵字: Flash  USB  908  JB8    

        2008:巨型晶圓廠初露鋒芒

        •   以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經歷了令人震驚的下滑。隨著現貨價格與合約價格不斷創下新低,價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低,對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段,一個巨大而不斷增長的市場即將出現。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節增長至2011年的33.5萬億兆字節。   大舉擴產NAND閃存   低價同時也推動了需求的增長,使得部分廠商出現供給不足。以東芝(To
        • 關鍵字: DRAM  Flash  三星  MCU和嵌入式微處理器  

        采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統

        •   汽車上可自動關閉的電動車窗或車門設備潛藏著卡死,擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續監視速度、電流和玻璃的位置。   由于成本和簡化的原因,本文所描述的系統使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達。基于速度和扭矩導數的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉換器和通過變化引發中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理,Atmel網站上的應用筆記有關于實現的詳細描述。   現代
        • 關鍵字: AVR  Flash  微控制器  汽車電子控制裝置  

        NAND Flash進軍NB/PC應用領域 借以擴大市占率

        •   拓墣產業研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發表研究報告指出,2008年起,除了由原手持式消費電子產品將繼續大量采用NAND Flash作為儲存裝置外,NAND Flash將通過NB與PC的采用,以混合式硬盤或固態硬盤(SSD)的產品型態,逐步擴大市場占有率,市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。   拓墣表示,NAND Flash在過去幾年快速擴充產品應用領域,從2004年產品應用比例最高的數碼相機,到2006年MP3 Pla
        • 關鍵字: NAND  Flash  SSD  MCU和嵌入式微處理器  

        對MC68HC908內Flash在線編程的一種方法

        • 本文以MC68HC908QY4為例,詳細分析如何利用監控ROM程序實現對單片機片內Flash的在線編程和應用。
        • 關鍵字: Flash  908  MC  68    

        基于FPGA的串行Flash擴展實現

        •   1 引言   FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優點,在眾多領域中也獲得了廣泛應用。在現代數字電路設計中。經常需要保存大量數據,而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉,可在線電擦寫,信息在掉電后不會丟失,因此成為設計人員的首選。   2 M25P80的介紹   Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大,速度快;而串行Fl
        • 關鍵字: 嵌入式系統  單片機  FPGA  Flash    MCU和嵌入式微處理器  

        基于FPGA的串行Flash擴展實現

        •   1 引言   FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優點而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優點,在眾多領域中也獲得了廣泛應用。在現代數字電路設計中。經常需要保存大量數據,而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉,可在線電擦寫,信息在掉電后不會丟失,因此成為設計人員的首選。   2 M25P80的介紹   Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大,速度快;而串行Fl
        • 關鍵字: 嵌入式系統  單片機  FPGA  Flash  存儲器  MCU和嵌入式微處理器  

        大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網絡存儲中的應用

        •   1 引言   隨著嵌入式系統廣泛應用,嵌入式系統中的數據存儲和數據管理則成為設計人員考慮的重點。在許多現場不可達數據采集應用中采用分布式數據存儲,必然帶來數據管理的不便,因此,集中管理數據成為一種思路。利用成熟的網絡傳輸技術集中分布式嵌入式系統數據,采用C/S模式管理數據。對于大容量數據存儲,選擇介質存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲,但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無法長期在惡劣的環境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
        • 關鍵字: 通訊  無線  網絡  NAND  Flash  K9T1G08U0M  MCU和嵌入式微處理器  

        年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價短期平穩

        •   11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%,比前兩個月跌幅明顯縮小,主要是因為下游客戶在10月已陸續進行降低庫存的動作,加上市場預期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求,根據集邦科技(DRAMeXchange)觀察,NAND Flash價格走勢在11月初已經出現止跌回穩的現象。   隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產品供應量提高后,下游客戶采購顆粒開始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流,導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規格來得顯著。有鑒于9月以來
        • 關鍵字: 嵌入式系統  單片機  NAND  Flash  microSD  嵌入式  

        奧地利微電子為代工用戶擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務

        •   奧地利微電子的全方位服務晶圓代工廠業務部推出一份更加全面的 2008 年度時間表,擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務,即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務將來自不同用戶的若干設計結合在一個晶圓上,有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。   RF多項目晶圓服務   奧地利微電子的 MPW 服務包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
        • 關鍵字: 消費電子  奧地利微電子  CMOS  FLASH  MCU和嵌入式微處理器  

        FAT文件系統在NAND Flash存儲器上的改進設計

        •        嵌入式系統的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性,構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統,并闡述具體的設計思想。該系統改進了FAT表和FRT表的存儲方式,延長了存儲器的使用壽命,提高了穩定性。        NAND Flash存儲器是一種數據正確性非理想的器件,容易出現位反轉現象,同時在使用中可
        • 關鍵字: FAT  NAND  Flash  存儲器  通信  嵌入式系統  嵌入式  無線  通信  

        07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元

        •   根據集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出,NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言,三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。      由于第三季為傳統NANDFlash下游客戶的備貨旺
        • 關鍵字: 嵌入式系統  單片機  NAND  Flash  三星  MCU和嵌入式微處理器  

        NAND和NOR flash詳解

        •       NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。   相“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業內人
        • 關鍵字: NAND  NOR  flash  集成電路  存儲器  

        基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自舉引導

        • 著重描述了引導引腳以及相關寄存器的設置,分析了采用EDMA傳輸方式將代碼從Flash復制到DSP的過程,并對引導程序給出基于匯編語言的代碼實現。
        • 關鍵字: Flash  引導  片外  TMS320C6713  EDMA  基于  
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        xl-flash介紹

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