日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST,擴充其光電子產品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產品通過了國際安全監管機構VDE的認證,具有長爬電距離和高隔離測試電壓,可保護在類似太陽能發電和風電機組的電網連接等高壓環境中的工人和設備。現在,希望在產品中全面使用表面貼裝元器件以實現靈活生產的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST,這兩款器件填補了現有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上
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Vishay 太陽能 CAT IV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%,而導通電阻則與之相當甚至更低。
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Vishay MOSFET Si8802DB
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V單電源或±2.7V~±8V雙電源工作的新器件,充實其DG92xx系列CMOS模擬開關和多路復用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點,可用于高速、高精度開關應用。
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Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術,具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉換應用中的MOSFET的重要優值系數。
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與前一代S系列器件相比,新的
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Vishay Siliconix MOSFET
2011 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
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Vishay MOSFET
2011 年 9 月26 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,為減少由板彎曲開裂引發的失效,推出新的VJ汽車系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC),可選的聚合物端接能夠承受更高的彎曲應力。器件采用C0G(NP0)和X5R/X7R/X8R電介質,每種器件都有很多外形尺寸、電壓等級和容值可供選擇。
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Vishay 電容器
2011 年 9 月22日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用超小型CLP0603硅封裝的新款雙向對稱(BiSy)單路ESD保護二極管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10pF的低電容,可在便攜式電子產品中保護信號和數據線路免受瞬態電壓信號的侵擾,并大大節省PCB空間。
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Vishay 二極管 VCUT05D1-SD0
2011 年 9 月 20 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款采用3232外形尺寸的IHLP小尺寸、高電流的電感器---IHLP-3232CZ-11。IHLP-3232CZ-11尺寸小巧,具有8.26mm x 8.79mm的占位面積和3.0mm的超低高度,低至1.62m?的最大DCR和0.22μH~33.0μH的標準感值能夠讓系統高效工作。
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Vishay 電感器 IHLP-3232CZ-11
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封裝、正向電流為4A~15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器。這些器件兼具極快的恢復時間、低正向壓降和反向電荷,其中包括業界首個采用此種封裝且正向電流大于10A的600V整流器。
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Vishay 封裝 整流器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款表面貼裝Power Metal Strip 電阻--- WSK0612。該電阻是業內首個4接頭、1W的檢流電阻,采用小尺寸的0612封裝,具有0.5 mΩ~5mΩ的低阻值。
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Vishay 電阻 WSK0612
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip 電阻--- WSLP2726和WSLP4026,該電阻兼具5W~7W的高功率等級和0.5mΩ的極低阻值。器件采用4接頭設計,可實現1.0%的穩定電阻容差。
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Vishay 電阻 Power Metal Strip
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,為滿足在各種照明應用中對顏色均勻性的要求,Vishay擴大了VLMW41XX系列采用PLCC-2封裝、基于藍寶石的冷白光SMD LED的色域裝箱和訂購選項。器件現可提供14種不同的色域,根據CIE1931進行非常窄的色度坐標分組。另外,Vishay的客戶可以訂購由4中相近色域組成的LED。
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Vishay LED VLMW41XX
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
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Vishay MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars),時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店,8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術報告,探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業電源和其他行業中的應用。研討會面向研發工程師,用中文講解,CEF的觀眾可以免費參加。
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Vishay MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于MRI(磁力共振影像)設備的新系列無磁性表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ。VJ系列無磁性電容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R電介質,提供多種外形尺寸、額定電壓和電容值器件。
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Vishay MLCC
vishay介紹
威世(VISHAY)集團成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創新和不斷的并購, 迅速發展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家,其中中國大陸有7家制造業工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產品被廣泛地應用于工業、計算機 [
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