日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q200認證、ESD級別高達2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標準TCR低至±25ppm/℃，經過激光微調后的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業(yè)對溫度、濕度提出的新需求，同時具有可靠的可重復性和穩(wěn)定的性能。
由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜，使PAT電阻實現了穩(wěn)定的薄膜，在+70℃下經過10,000小時后的性能特性為1000ppm。器件針對混合動力/電控
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Vishay ESD 薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
101/102 PHR-ST 器件現在共有從35mmx 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸，圓柱形的鋁外殼與圓盤里的藍色套筒和減壓裝置保持絕緣。新的外形尺寸使器件實現了從1F、25V至10,000F、45
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Vishay 電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。
今天發(fā)布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封裝的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封裝的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封裝的厚度分別只有2.29mm和2.44mm。
由于器件具有0.56V的極低典型前向電壓降和優(yōu)異的雪崩容量
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Vishay 整流器 TMBS
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在網站上新增了低尺寸、大電流IHLP電感器的視頻產品演示，幫助客戶了解在應用中使用這種電感器的好處。
視頻演示顯示，當電流增大時，采用其他技術的電感器會硬飽和，導致感值急劇下降至幾乎為零。IHLP器件能夠軟飽和，使得感值能夠緩慢地滾降。
Vishay的IHLP電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰，而不會出現硬飽和。這段4分鐘的視頻介紹了飽和電流性能測試，充分顯示了IHLP器件在5A和25A的額定電流下的出色性能。
為盡可能
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Vishay 電感器 IHLP
日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。
VBUS05L1-DD1-G-08的占位僅有0.6mm x 1.0mm，封裝的厚度小于0.4mm，因此在便攜式游戲機、數碼相機、MP3播放器和手機等設備中進行有源ESD保護時，只需要很小的電路板空間。
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Vishay 二極管 ESD保護
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設定了新的行業(yè)基準。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(未受潮)的工廠壽命穩(wěn)定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
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Vishay 箔電阻 Bulk Metal
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內P溝道器件最低的導通電阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內
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Vishay MOSFET TrenchFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。
SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。
在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導通電阻分別
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Vishay MOSFET SiM400
日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。
與市場上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進的導熱結構使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此，PowerBrid
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Vishay 整流器 PowerBridge
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于線焊組裝的新系列RF螺旋電感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列電感器 --- 具有低DCR、高Q值和寬感值范圍，提供RF等效電路模型，使得設計者可以對器件性能進行高度精確的計算機仿真。
PSC電感器是針對需要線焊器件的RF電路而設計的，包括在通信系統及測試測量儀器中的阻抗調諧電路、集總元件濾波器和混合RF集成電路。
螺旋電感具有1nH~100nH的寬感
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Vishay RF 螺旋電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴大了符合美軍標MIL-PRF-55342認證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強后的器件使高可靠性應用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差為1.0%。
增強型E/H貼片電阻適用于對性能有嚴格要求的高可靠性軍
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Vishay 貼片電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb瞬態(tài)電壓抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的擊穿電壓和10.0V～58.1V的優(yōu)異鉗位能力。
今天發(fā)布的TVS器件采用eSMP TO-277A封裝，比傳統SMC封裝的占位面積小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌電流高達200A，工作溫度為-55℃～+105℃。
TVS器件可用來保護通信和普通應用中的敏感設備，
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Vishay TVS 瞬態(tài)電壓抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款經濟、長壽命的面板電位計 --- P11L，該電位計具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。
標準的低成本面板電位計的循環(huán)壽命只有50000次，而Vishay的P11L的壽命則長達2百萬次循環(huán)。對設計者來說，P11L的長壽命可減少對替換零件的需求，提高可靠性和降低維護成本。
Vishay的這款多功能面板電位計針對焊接機、空調單元、加工機械、醫(yī)療系統、X光設備、卡車和拖車，以及軍用和航天系統中的CMOS放大器增益、
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Vishay 電位計 P11L
vishay介紹
威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產品被廣泛地應用于工業(yè)、計算機 [
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