vishay intertechnology 文章 進(jìn)入vishay intertechnology技術(shù)社區(qū)
Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。 隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者對用電池做電源的電子設(shè)備的更長運(yùn)行時間的期望，
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 芯片 手機(jī) PDA 數(shù)碼相機(jī) MP3 智能電話
Vishay推出新型增強(qiáng)型PowerBridge? 整流器系列器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridgeTM 整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。 與市面上體積更大的橋式整流器相比，PowerBridge 器件更為先進(jìn)的熱構(gòu)造可提高散熱效率。因此，PowerBridge 整流器可以提供與體積更大產(chǎn)品相同的額定功率，并同時需要更少的散熱裝置。 整流器也因此成為匹配桌面 PC、服
- 關(guān)鍵字： Vishay 整流器 橋式 單相 OEM
Vishay推出新型增強(qiáng)型 PowerBridge整流器系列器件
- 2008年5月28日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出增強(qiáng)型高電流密度PowerBridgeTM 整流器的新系列，這些器件的額定電流為10 A 至25 A，最大額定峰值反向電壓為600 V 至1000 V。 與市面上體積更大的橋式整流器相比，PowerBridge 器件更為先進(jìn)的熱構(gòu)造可提高散熱效率。因此，PowerBridge 整流器可以提供與體積更大產(chǎn)品相同的額定功率，并同時需要更少的散熱裝置。 單相整流器也因此成為匹配桌面PC、服務(wù)器、等離子電視、液晶
- 關(guān)鍵字： Vishay 整流器 開關(guān)電源 OEM
Vishay推出業(yè)內(nèi)最低電感及最低DCR的新型環(huán)形高溫電感器
- 2008年5月16日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器TJ3-HT ，該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及最低電感和DCR。 Vishay的新型TJ3-HT 電感器的最高額定工作溫度為+200°C，采用環(huán)形設(shè)計(jì)以減少EMI，可用來優(yōu)化開關(guān)式電源、EMI/RFI濾波器、汽車的輸出端扼流圈以及深井鉆探產(chǎn)品。 該款低成本器件可為設(shè)計(jì)人員提供水平和垂直安裝選項(xiàng)以優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)。Vishay 的此款新型電感器具有10個標(biāo)準(zhǔn)電感值以供選
- 關(guān)鍵字： Vishay 電感器 DCR
Vishay推出八款模擬多路復(fù)用器與開關(guān)
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。 四款新型模擬多路復(fù)用器與四款新型模擬開關(guān)將 0.5pC～1.0pC的超低電荷注入、2pF 及 3pF 的低開關(guān)電容、0.25nA～5nA 的漏電流及 66?～72? 的典型導(dǎo)通電阻完美結(jié)合在一起。? 它們
- 關(guān)鍵字： Vishay 復(fù)用器 開關(guān)
Vishay推出倒立鷗翼式封裝的新型高亮度SMD LED
- 日前，Vishay宣布推出采用倒立鷗翼式封裝的新型 SMD LED 的兩個系列：黃色 VLRE31.. 系列和 VLRK31.. 系列，這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強(qiáng)度和低功耗的特點(diǎn)，旨在滿足日益增長的對 AlInGaP 技術(shù)的需求。 由于具有超薄的1.9毫米外形，Vishay 的新型 VLRE31.. 和 VLRK31.. 系列的 SMD LED 采用自頂向下安裝方式，并透過 PCB 發(fā)光。這些器件采用非擴(kuò)散透境，該種透境能出色地與光管和背光耦合。 此次 Vishay 推出的新型
- 關(guān)鍵字： Vishay LED 倒立鷗翼式
新型高功率高速870nm紅外發(fā)射器（Vishay）
- Vishay Intertechnology, Inc.推出具有38o 寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器，從而擴(kuò)大了其光電子產(chǎn)品組合。通過其獨(dú)特設(shè)計(jì)的鏡頭，使TSFF5510 具有38o 的視角范圍，與標(biāo)準(zhǔn)的 5 mm 發(fā)射器相比，可提供更優(yōu)異的性能。 ???? 寬視角、高達(dá) 1 A 的功率輸出及高速等特點(diǎn)使 TSFF5510 紅外發(fā)射器非常適合如紅外線收費(fèi)及無線音頻傳輸系統(tǒng)等室外數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中的紅外線音、視頻數(shù)據(jù)傳輸，這些應(yīng)用通
- 關(guān)鍵字： Vishay 發(fā)射器
Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件
- Vishay推出新型第三代 TrenchFET? 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻性能和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積指標(biāo)。 新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK? SO-8 封裝的 N 溝道器件，在 4.5V 柵極驅(qū)動電壓下具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)(FOM)，Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98
- 關(guān)鍵字： Vishay
Vishay推出采用Int-A-Pak封裝具有75A-200A高額定電流的新系列半橋IGBT模塊
- Vishay Intertechnology宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。 日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應(yīng)用需求的三種不同 IGBT 技術(shù)。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用標(biāo)準(zhǔn)穿通 (PT) IGBT 技術(shù)，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS1
- 關(guān)鍵字： Vishay
Vishay推出采用三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸的新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器
- 日前，Vishay推出具有三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 采用先進(jìn)薄膜技術(shù)的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應(yīng)時間以及 -55°C～+155oC 的溫度范圍。 由于采用高度受控的鉑金屬薄膜制造工藝，這些新型 Vishay Beyschlag 倒裝片傳感器具有 <±0.04% 的出色溫度特性穩(wěn)定性，甚至在長期及寬泛的溫度范圍內(nèi)也是如此，這可在汽車電子設(shè)備、工業(yè)電子設(shè)
- 關(guān)鍵字： Vishay
Vishay 推出新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用超緊湊型 LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。 憑借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動計(jì)算、移動通信、消費(fèi)類、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用的便攜式電子設(shè)備中節(jié)省板面空間，以及提供 ESD 保護(hù)。 新型濾波器包括四通道 VEMI45AB-HNH 和VE
- 關(guān)鍵字： Vishay EMI 濾波器
Vishay發(fā)布小型超高精度 Z 箔電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻，當(dāng)溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時，該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）（額定功率下）、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
- 關(guān)鍵字： Vishay Z箔 電阻
vishay intertechnology介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條vishay intertechnology!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對vishay intertechnology的理解，并與今后在此搜索vishay intertechnology的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對vishay intertechnology的理解，并與今后在此搜索vishay intertechnology的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
vishay intertechnology電路
vishay intertechnology相關(guān)帖子
vishay intertechnology資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473