vishay intertechnology 文章 最新資訊
Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件
- Vishay推出新型第三代 TrenchFET? 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導通電阻性能和導通電阻與柵極電荷乘積指標。 新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK? SO-8 封裝的 N 溝道器件，在 4.5V 柵極驅動電壓下具有 2.25 毫歐的最大導通電阻。導通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉換器應用中 MOSFET 的關鍵優值系數(FOM)，Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98
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Vishay推出采用Int-A-Pak封裝具有75A-200A高額定電流的新系列半橋IGBT模塊
- Vishay Intertechnology宣布推出采用業界標準 Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術，可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率。 日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應用需求的三種不同 IGBT 技術。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用標準穿通 (PT) IGBT 技術，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS1
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Vishay推出采用三種標準芯片尺寸的新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器
- 日前，Vishay推出具有三種標準芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 采用先進薄膜技術的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應時間以及 -55°C～+155oC 的溫度范圍。 由于采用高度受控的鉑金屬薄膜制造工藝，這些新型 Vishay Beyschlag 倒裝片傳感器具有 <±0.04% 的出色溫度特性穩定性，甚至在長期及寬泛的溫度范圍內也是如此，這可在汽車電子設備、工業電子設
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Vishay 推出新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用超緊湊型 LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。 憑借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業及醫療應用的便攜式電子設備中節省板面空間，以及提供 ESD 保護。 新型濾波器包括四通道 VEMI45AB-HNH 和VE
- 關鍵字： Vishay EMI 濾波器
Vishay發布小型超高精度 Z 箔電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻，當溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時，該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR（自身散熱產生的 ?R）（額定功率下）、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
- 關鍵字： Vishay Z箔 電阻
Vishay 推出首款 Power Metal Strip 電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip? 電阻，這兩款電阻是業界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C～+275°C 的此類器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的專有結構將固體金屬鐵鉻合金電阻元件與低 TC
- 關鍵字： Vishay Power Metal Strip 電阻
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