vishay intertechnology 文章 最新資訊
Vishay業(yè)界首款CAT IV高壓隔離光耦
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產(chǎn)品通過了國(guó)際安全監(jiān)管機(jī)構(gòu)VDE的認(rèn)證，具有長(zhǎng)爬電距離和高隔離測(cè)試電壓，可保護(hù)在類似太陽能發(fā)電和風(fēng)電機(jī)組的電網(wǎng)連接等高壓環(huán)境中的工人和設(shè)備。現(xiàn)在，希望在產(chǎn)品中全面使用表面貼裝元器件以實(shí)現(xiàn)靈活生產(chǎn)的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST，這兩款器件填補(bǔ)了現(xiàn)有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上
- 關(guān)鍵字： Vishay 太陽能 CAT IV
Vishay Siliconix推出CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V單電源或±2.7V～±8V雙電源工作的新器件，充實(shí)其DG92xx系列CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點(diǎn)，可用于高速、高精度開關(guān)應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。 ? 與前一代S系列器件相比，新的
- 關(guān)鍵字： Vishay Siliconix MOSFET
Vishay發(fā)布新款超小型ESD保護(hù)二極管
- 2011 年 9 月22日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用超小型CLP0603硅封裝的新款雙向?qū)ΨQ(BiSy)單路ESD保護(hù)二極管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10pF的低電容，可在便攜式電子產(chǎn)品中保護(hù)信號(hào)和數(shù)據(jù)線路免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的侵?jǐn)_，并大大節(jié)省PCB空間。
- 關(guān)鍵字： Vishay 二極管 VCUT05D1-SD0
Vishay推出新尺寸器件 擴(kuò)充IHLP電感器系列
- 2011 年 9 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款采用3232外形尺寸的IHLP小尺寸、高電流的電感器---IHLP-3232CZ-11。IHLP-3232CZ-11尺寸小巧，具有8.26mm x 8.79mm的占位面積和3.0mm的超低高度，低至1.62m?的最大DCR和0.22μH～33.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值能夠讓系統(tǒng)高效工作。
- 關(guān)鍵字： Vishay 電感器 IHLP-3232CZ-11
Vishay推出新款Power Metal Strip電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip 電阻--- WSLP2726和WSLP4026，該電阻兼具5W～7W的高功率等級(jí)和0.5mΩ的極低阻值。器件采用4接頭設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)1.0%的穩(wěn)定電阻容差。
- 關(guān)鍵字： Vishay 電阻 Power Metal Strip
Vishay將舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布將于中國(guó)電子展同期舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)(West China Power Seminars)，時(shí)間和地點(diǎn)分別是8月23日上午9點(diǎn)30分至12點(diǎn)10分在成都明悅大酒店，8月25日在西安曲江國(guó)際會(huì)展中心。每場(chǎng)研討會(huì)將有4位專家做技術(shù)報(bào)告，探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應(yīng)用。研討會(huì)面向研發(fā)工程師，用中文講解，CEF的觀眾可以免費(fèi)參加。
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
vishay intertechnology介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條vishay intertechnology!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)vishay intertechnology的理解，并與今后在此搜索vishay intertechnology的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)vishay intertechnology的理解，并與今后在此搜索vishay intertechnology的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
vishay intertechnology電路
vishay intertechnology相關(guān)帖子
vishay intertechnology資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473