日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列可在-55℃~+215℃寬溫條件下工作的雙通道薄膜電阻網絡---HTRN系列。該系列電阻網絡的工作溫度范圍比傳統薄膜片式電阻擴大了近100℃,絕對TCR低至±25ppm/℃,TCR跟蹤為5ppm/℃,以及±0.05%的嚴格比例容差。
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Vishay 薄膜電阻 HTRN
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出在-55℃~+175℃溫度及50%電壓降額情況下工作的新系列HI-TMP TANTAMOUNT表面貼裝固態模壓片式鉭電容器---TH4系列。通過AEC-Q200認證的TH4電容器能在遠遠超過工業標準的高溫下工作,為汽車和工業應用的設計工程師提供了穩固和更可靠的產品。
關鍵字:
Vishay 鉭電容器 TH4
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉換器應用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產品的電壓和封裝占位選項,使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規格產品的獨家供應商。
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Vishay MOSFET SiZ300DT SiZ910DT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用一個集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)--- VJ CDC。對于高脈沖電流應用,VJ受控放電電容器(CDC)提供了出色的穩定性,可承受1000VDC~1500VDC的高電壓,容量為33nF~560nF。
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Vishay MLCC VJ CDC
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款采用該公司的SurfLight表面發射器技術制造的850nm紅外(IR)發射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01,擴大其光電子產品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝,占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm,具有超群的高驅動電流、發光強度和光功率,同時具有低熱阻系數。
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Vishay 發射器 VSMY7852X01 VSMY7850X01
除了能節省電路板空間,4線VBUS54ED-FBL采用了“滲流”設計,這種設計支持筆記本電腦、手機、MP3播放器和便攜式游戲機等移動式電子產品中USB 3.0、HDMI、DisplayPort、eSATA和1394/Firewire等應用中高速數據線對浪涌電阻的要求。
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Vishay ESD VBUS54ED-FBL
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應用,這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開關的性能。
關鍵字:
Vishay MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封裝的功率型Mini LED---VLMx233..系列。該系列器件具有大紅、紅色、琥珀色、淺桔色和黃色等幾種顏色,采用最先進的AllnGaP技術,使光輸出增加了3倍,并通過針對汽車應用AEC-Q101標準認證。
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Vishay 封裝 Mini LED VLMx233
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST,擴充其光電子產品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產品通過了國際安全監管機構VDE的認證,具有長爬電距離和高隔離測試電壓,可保護在類似太陽能發電和風電機組的電網連接等高壓環境中的工人和設備。現在,希望在產品中全面使用表面貼裝元器件以實現靈活生產的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST,這兩款器件填補了現有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上
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Vishay 太陽能 CAT IV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%,而導通電阻則與之相當甚至更低。
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Vishay MOSFET Si8802DB
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V單電源或±2.7V~±8V雙電源工作的新器件,充實其DG92xx系列CMOS模擬開關和多路復用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點,可用于高速、高精度開關應用。
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Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術,具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉換應用中的MOSFET的重要優值系數。
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與前一代S系列器件相比,新的
關鍵字:
Vishay Siliconix MOSFET
2011 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
關鍵字:
Vishay MOSFET
2011 年 9 月26 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,為減少由板彎曲開裂引發的失效,推出新的VJ汽車系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC),可選的聚合物端接能夠承受更高的彎曲應力。器件采用C0G(NP0)和X5R/X7R/X8R電介質,每種器件都有很多外形尺寸、電壓等級和容值可供選擇。
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Vishay 電容器
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