ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應用性能

 
意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產品的第一款產品。 通態電阻極低，動態特性和雪崩特性非常優異，新系列產品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。

商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰器件優化的極限。新產品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰半導體器件技術極限的實例，該產品采用ST自主開發的第二代 MDmeshTM 技術，最大通態電阻 RDS (ON)  450 mΩ，該器件的電阻值比上一代MDmesh技術降低了55%，而這一優異特性并不是以犧牲對其溫度特性的精確控制為代價的。

除通過最小化電阻值來大幅度降低通態損耗外，這個600V產品的主要特性還包括一個節能的驅動電路，該電路使MOSFET能夠在較低的VGS(th)（柵閾壓）電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍（2V）沒有變化，但是驅動該器件所需的VGS電壓范圍降低了，從而優化了驅動電路的性能，保證了器件具有優異的防止電路意外導通的噪聲抑制性能。

STD11NM60N的主要特性包括一個優異的二極管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用戶能夠把工作溫度保證在正常的工作溫度范圍內。因為傳導損耗和功耗都很低，該器件還有助于客戶降低散熱器的尺寸，從而大大節省了電路板的空間。

該芯片精巧的尺寸，再加上微型的DPAK/IPAK和TO-220FP 封裝，使之特別適合照明應用產品，例如，大功率因數電子鎮流器和高強度放電燈（HID）電子鎮流器。 

STD11NM60N現已量產。 訂購10,000件，單價0.90美元。 

技術說明:
ST的MDmeshTM (多漏極網格TM)技術的卓越性能歸功于一個創新的漏極結構，在這個漏極結構中，漏極是半導體縱向延伸的垂直P型帶與橫向N型源極薄帶組成的隔離陣列。 在新一代 MDmesh技術MDmesh II中，得到進一步改良的P型帶陣列比前一代MDmesh技術降低通態電阻 55% RDS (ON) ，而這個優異的性能不是以犧牲對溫度特性的精確控制為代價的。

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