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        v-nand 文章 進入v-nand技術社區

        投資10nm/3D NAND 晶圓廠設備支出今年增3.7%

        •   國際半導體產業協會(SEMI)最新報告指出,3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術投資,將驅動2016年晶圓廠設備支出攀升,預估2016年包括新設備、二手或專屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%,達372億美元;而2017年則可望再成長13%,達421億美元。   SEMI指出,2015年晶圓廠設備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數成
        • 關鍵字: 晶圓  3D NAND  

        中國砸240億美元躍進3D NAND閃存時代

        • 國內終于要有了存儲,剩下的問題就是國產閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢?初期的價格戰是不可避免的,但長久來看還得是技術立足。
        • 關鍵字: 3D NAND  存儲  

        東芝將向NAND投資8600億日元,預計2016財年銷售不到5萬億日元

        •   “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預測需要多長時間,但希望能獲得新生,成為一家能永久發展下去的企業”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業務計劃說明會,代表執行董事社長室町正志在會上這樣說道。   東芝的一系列結構改革都已有了目標。在說明會前一天,東芝宣布將把醫療器械子公司——東芝醫療系統出售給佳能,將把白色家電業務出售給美的集團(參閱本站報道1)。關于個人電腦業務與其他公司進行業務合并一事,室町表示“希望在201
        • 關鍵字: 東芝  NAND  

        2016年迎3D NAND技術拐點,誰輸在起跑線?

        •   為了進一步提高NAND Flash生產效益,2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產,但隨著逼近2D NAND工藝可量產的極限,加快向3D技術導入已迫在眉睫,2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。   1、積極導入48層3D技術量產,提高成本競爭力   與2D工藝相比,3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb,與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。  
        • 關鍵字: 3D NAND  2D  

        主流NAND Flash制程轉進遇瓶頸 閃迪/美光/Intel怎么樣了?

        • 除供過于求價格下滑幅度加劇,現階段主流NANDFlash制程轉進已遇到瓶頸,另外開發與生產過程良率不佳的問題,制程轉進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
        • 關鍵字: NAND  美光  

        2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退

        •   2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過于求,除通路顆粒合約價下滑9~10%外,智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期,也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。   TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示,在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下,第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協理楊文得表示,除價格下滑幅度加劇外,現階段主流NAND Flash製程轉進已遇到瓶頸,三星(Sam
        • 關鍵字: NAND  三星  

        2015年第四季NAND廠商營收排行

        •   2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過于求,除通路顆粒合約價下滑9~10%外,智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期,也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。   TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示,在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下,第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協理楊文得表示,除價格下滑幅度加劇外,現階段主流NAND Flash制程轉進已遇到瓶頸,三星(Sam
        • 關鍵字: NAND  SSD  

        運用材料工程解決半導體行業技術拐點的挑戰

        •   今年,半導體行業將迎來幾大重要的技術拐點。存儲器制造商正逐步轉向3D NAND技術,從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現3D NAND器件的批量生產。   由平面結構向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產工藝上的新要求,促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微,推升了對新材料、新工藝技術的需求。在這個背景下,對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備,對于制造多層堆疊存儲單元來說至關重要。此外,隨著越來越多支持圖案
        • 關鍵字: 半導體  NAND  

        國內NAND Flash產業開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌

        •   2015年中國半導體廠商在NANDFlash產業鏈相關的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外,主控芯片得益于在整體NANDFlash產業極大的戰略地位,也將成為下一波中國半導體業值得關注的焦點。   TrendForce旗下存儲事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示,在營運上中國國產主控芯片廠商除直接銷售芯片外,多半推出完整的固態硬盤解決方案以便直接切入市場應用。主要目標客戶群多以企業級存儲、政府機關與國防軍工等原先合作關系密切,或是有投資關系的戰略伙伴為主。產品開發則傾力下個世代
        • 關鍵字: NAND  SSD  

        慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產品亮相2016嵌入式世界展會

        •   在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會,在1號廳160號展臺向業界展示其針對汽車、工業和物聯網應用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案。  慧榮科技展臺將展出如下產品:  Ferri-eMMC?解決方案  Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產
        • 關鍵字: 慧榮科技  NAND  

        中國廠商積極發展記憶體主控芯片

        • 未來中國國產主控晶片產業與行業內公司的發展將呈現百花爭鳴的態勢,產品應用也有機會從企業級儲存產品,向下延伸至消費性產品,這也是下一波國內半導體的焦點。
        • 關鍵字: NAND  半導體  

        存儲器接連刷新歷史最高紀錄,768Gbit 3D NAND亮相

        •   在“ISSCC 2016”(2016年1月31日~2月4日于美國舊金山舉行)會議上,NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化,以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術取得穩步進展,接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進”之外,此次的發表還涉及車載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM,內容 豐富。  存儲器會議共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發表。其中有12項來自亞洲,日本有2項(內容均為非易失存儲器)。下面來介紹
        • 關鍵字: 存儲器  NAND  

        3D NAND技術謹慎樂觀 中國存儲產能有望釋放

        •   全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%,2016年將下降10.6%,有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是,預測隨著中國公司攜本地產品進入DRAM市場,DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統產品(桌面PC與傳統筆記本電腦)產量預計在2015年下降11.6%,并在2016年進一步下降6.7%。   DRAM市場2016年供過于求   近期,我們對于DRAM市場的預測不會發生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑,而在
        • 關鍵字: 3D NAND  

        Toshiba準備出售NAND以外的半導體業務

        •   根據日本當地的財經媒體《日經新聞(Nikkei)》近日報導,大廠東芝(Toshiba)已經決定出售半導體業務,僅留下快閃記憶體產品線;此舉被視為是經歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉虧為盈之必要步驟。   未來東芝將專注并強化在快閃記憶體與核能業務的投資與經營,該公司并將上述兩大業務做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應商,這也是該公司保留記憶體業務、將出售其他半導體業務的原因。   將出售的東芝半導體業務包括類
        • 關鍵字: Toshiba  NAND  

        手機標稱16G內存,為何實際卻少于16G

        •   摘要:現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質,就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區別,存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢?   我們總是在說手機內存,那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿足不斷增大的系統文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結構如下:        我們接觸到的16G、32G等手機,為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
        • 關鍵字: NAND FLASH  eMMC  
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