因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發價在1個月期間內飆漲22%。
報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續走揚。據英國調查公司指出，2016年全球NA
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三星 NAND
據海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產64層NAND Flash。
64層NAND Flash較東芝和三星目前生產的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機
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東芝 NAND
有關中國半導體業發展的討論已經很久了，似乎路徑已經清晰，關鍵在于執行，以及達成何種效果。受現階段產業大環境的影響，仍由政府資金主導，因此非市場化的因素尚在，產業的波浪式前進似乎不可避免，中國半導體業發展需要采用研發、兼并及合資與合作的三駕馬車，這三者都十分重要，需要齊頭并進。
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半導體 NAND
備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
三星(Samsung)早在2015年8月就發布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調將用于各種固態硬碟(SSD)，也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發現其蹤影(如圖1)。
圖1：三星T3 2TB S
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三星 V-NAND
東芝(Toshiba)統籌存儲器事業的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。
日經、韓國先驅報(
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東芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業者陸續量產3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內仍將掌握產能與技術優勢。
三星已自2013年下半起陸續量產24層、32層
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三星 3D NAND
三星公司已經開始量產其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業級SSD(PM1633a)等SSD產品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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三星 V-NAND
韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。
3D NAND比20納米級產品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優點，對于業界積極發展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業革命的技
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3D NAND 半導體
第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，NAND Flash原廠持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態硬碟(SS
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NAND Flash
全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數以上都是在中國。
根據SEMI的統計，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達到407億美元。
包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈
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晶圓 NAND
據韓國時報報導，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產能”的投資內容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。
barron`s.com16日報導，JP摩根發表研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產能轉換為3D。
另外，三星也將善用Line
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三星 NAND
中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產業協會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產能，預估有超過一半都將來自中國。
據SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規模較小，主要生產類比式芯片、微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems)與
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半導體 NAND
蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠的產能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創見、威剛、宇瞻等，預估下半年營運會比上半年好。
創見預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠資本支出較保守，產能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。
威剛董事長陳立白日
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NAND DRAM
為什么燒錄Nand Flash經常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統卻運行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎?
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一、Nand flash的特性
1、位翻轉
在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進行充電來完成數據存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應著數據值。當讀取的時候，通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數據值。對SLC 而言，就只有兩種狀態和一個
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