- 9月10日消息，據WinFuture報道，三星UFS存儲卡現身IFA2019展會，它被裝在了海信T91手機上。
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三星 存儲卡 UFS
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出，受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND
Flash產品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供應商
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NAND UFS SSD
- 在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定。 固態硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND eMMC UFS
- 在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定。 固態硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND UFS
- 在高速數字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統頻率的提升，并行總線在板級建置時已經遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不
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UFS emmc 數字接口
- 相較于處理器芯片，存儲性能這些年在智能手機上的重要性也開始逐漸凸顯。據Android Authority總結，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲卡將會成為新一輪旗艦智能機將要占領的技術之制高點。 具體來說，LPDDR5的速度將達到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠商Synopsys透露的，LPDDR5將引入WCK差分時鐘，類似于GDDR5，從而在不增加引腳的情況下提升頻率。 此外，LPDDR5還將引入
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LPDDR5 UFS 3.0
- 2月26日，美光發布了專為安卓旗艦機打造的UFS 2.1標準閃存，容量設計為64GB、128GB和256GB。
顆粒選用TLC，3D 64層堆疊，美光強調基于人工智能技術進行了APP打開、運行有關的性能優化。
由于是第二代3D閃存，美光稱性能提升了50%。
單Die面積59.341mm2，32GB，號稱業內最小。因此，在同樣芯片面積下的總容量翻番。
新閃存將于今春發貨，2018年下半年開始出現在智能機中。
由于此前，UFS2.1能穩定供貨的只有三星和東芝，導致價格較高，美
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三星 UFS
- 三星電子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快閃儲存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解決方案已開始量產， 是業界首款將固態技術協會(JEDEC)的UFS 3.0標準導入汽車應用的儲存設備。
三星電子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技術有所突破之后，于近日發布量產256GB eUFS 2.1車用內存。 該儲存設備將為下一代駕駛輔助系統(ADAS)、車用娛樂系統與儀表板應用帶來更好的
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三星 UFS
- TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash價格有機會走跌，下半年需求回升，可能再次供不應求，預估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價)將較2017年縮減10%-20%。
相對而言，TrendForce預計，2018年DRAM產能擴增效益有限，價格趨勢與供給狀況持續看漲、看緊。
TrendForce表示，就移動存儲來看，智能手機應用的存儲零組件價格從2016年第三季開始不斷攀升，以主流規格而言，到今年第四季價格平均上升40%，不僅影響各大品牌在智能手機的
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UFS NANDFlash
- NAND Flash解決方案供應商群聯9、10月連續兩月份的固態硬盤(SSD)出貨量都破歷史新高，上月更達到100萬組的水準，另一個好消息是，群聯在下一代的嵌入式快閃存儲器新款的UFS芯片PS8313上，已經通過手機芯片大廠高通(Qualcomm)和海思等智能手機芯片平臺的測試，新產品布局有成。
群聯今年全力沖刺SSD和嵌入式存儲器解決方案eMMC產品線，繼9月SSD出貨量突破90萬片后，10月再創新高達100萬片水準。
以第3季表現來看，群聯第3季獲利創下單季歷史新高，主要是受惠多項主流
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UFS 海思
- eMMC使命完成，UFS時代來臨，如何快速從eMMC轉移到UFS-在高速數字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統頻率的提升，并行總線在板級建置時已經遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅降低并行總線持續建立時間窗口，從而限制系統帶寬的進一步提升。
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emmc ufs 數字接口
- 智能手機體驗優秀與否，除了處理器芯片，閃存芯片也是一大影響因素，目前手機上常搭載的閃存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等標準。其中UFS標準于2011年誕生，升級到2.0版本是在2013年，2.1版本則是在2016年發布的，而近日據網友爆料其下一代標準3.0也已經在研發了。
根據網友爆料使用的圖片顯示，UFS 3.0的速度最高達2666MB/s，較UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。
除了快到飛起的速度外，USF 3.0占據的
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UFS
- 車內信息娛樂系統(IVI)越來越普及，先進駕駛輔助系統(ADAS)、無人駕駛技術亦逐漸成熟，車載系統突飛猛進造就日益龐大的數據處理需求，所需內存容量、輸出/入帶寬不得不隨之升級。 不僅如此，車用儲存組件相較3C電子等一般應用，更須考慮車輛要求之極高可靠性、安全性，進一步納入完善的硬/韌體除錯與實時反饋等相應機制。
內存控制芯片主力供貨商慧榮(SMI)產品企劃部項目經理胡文基表示，從早期所用之SD卡、光罩式ROM、PATA/SATA硬盤等演進至今，目前車載系統是以16G起跳之內嵌式多媒體記憶卡(e
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ADAS UFS
- UFS普及并不缺乏機會，Flash產能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關鍵因素了。
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Flash UFS
- 華為P10“閃存門”其實就是一些消費者在購買P10手機后，經過測試發現，華為P10系列手機閃存速度出現了明顯差異的情況。用戶測試結果顯示，有部分手機的閃存速度約為200MB/秒，而根據網上公布的評測參數來看，以華為官方配置的P10實際速度應該可以達到800MB/秒左右。而最終測試的結論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
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閃存 UFS eMMC
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